白木 靖寛 | 日立中研

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• 白木 靖寛

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• 白木 靖寛

  日立

• 片山 良史

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• 小林 啓介

  日立中研

• 小松原 毅一

  日立中研

• 中島 尚男

  日立中研

• 片山 良史

  光技研:(現)フェムト秒テクノロジー

• 嶋田 寿一

  日立中研

• 小林 啓介

  光共研

• 谷口 雅樹

  広大院理

• 菅 滋正

  物性研

• 井上 恒一

  阪大産研

• 谷口 雅樹

  物性研

• 関 正美

  物性研

• 関 正美

  東大物性研

• 井上 恒一

  物性研

• 村山 良昌

  日立基礎研

• 丸山 瑛一

  日立

• 丸山 瑛一

  日立製作所中央研究所

• 石坂 彰利

  株式会社日立製作所中央研究所

• 石坂 彰利

  日立中研

• 菅城 象二郎

  日立中研

• 中嶋 尚男

  日立中研

• 成田 小二郎

  日立中研

• 田中 昭二

  京大工

• 葛西 淳一

  日立中研

• 杉本 泰

  農工大・工

• 三島 友義

  日立中研

• 松井 誠

  日立製作所中央研究所

• 森岡 誠

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• 沢田 安史

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• 松森 徳衛

  東海大

• 小林 啓介

  物材機構

• 新谷 昭

  住友金属エレクトロニクス研究所

• 大門 寛

  東大物性研

• 村田 好正

  東大物性研

• 大門 寛

  阪大基礎工

• 神前 煕

  物性研

• 辛 埴

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• 神前 熈

  物性研

• 神前 熈

  東大物性研

• 神谷 武志

  情報通信研究機構

• 幸 埴

  物性研

• Kunz C.

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• 加藤 義喜

  (株) 日立製作所中央研究所

• 加藤 義喜

  日立中研

• 松森 徳衛

  東海大学工学部電子工学科

• 田中 昭二

  東大・工・物理工学

• 田中 昭二

  東大工物工

• 片山 良史

  東大工物工

• 神谷 武志

  東大工物工

• 白木 靖寛

  東大工物工

• 片山 良史

  東大・工・物理工学

• 大和田 淳一

  日立製作所日立研究所

• 川上 英昭

  日立製作所日立研究所

• 川上 英昭

  日立・日立研

• 市口 恒雄

  日立中研

• 井倉 康雄

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• 神前 煕

  富士フィルム足研

• Hundhausen Martin

  日立中研

• 幸 埴

  東北大・科研

• 大和田 淳一

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• 三島 友義

  日立中央研究所

• 丸山 瑛一

  (株)日立製作所 研究開発推進本部

• 岡崎 信次

  日立中研

• 岡崎 信次

  株式会社日立製作所 中央研究所

• 松森 徳衛

  東海大・工

• 松森 徳衛

  東海大 (工)

• 松井 誠

  (株)日立製作所中央研究所

• 白木 靖寛

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• 新谷 昭

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• 松井 誠

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• 白木 靖寛

  日立・中央研究所

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  東大・工・物工

• 川上 英明

  日立

• 村山 良昌

  基礎研

• 杉本 泰

  農工大 工

• 丸山 瑛一

  (株)日立製作所

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著作論文

• 2p-NM-4 Ni/Si界面電子構造-NiSiyの光電子分光
• 5p-DR-20 清浄Si-Al界面における結合状態(I)
• 1p-BE-12 AESによる清浄AL表面の吸着現象の検討
• 2a-NL-4 GaAl_xAsにおける内殻励起子
• 4a-E-10 Si-Al 界面の結合状態 III
• 4a-E-9 Si-Al 界面の結合状態 II
• n型InSbの負の磁気抵抗効果 : 半導体 : 不純物伝導
• フォトルミネセンスによるシリコン中の不純物対の研究
• 2a GE-2 シリコン中の不純物対に束縛された励起子の発光
• 3p-F-16 極微細MOSFETのしきい電圧付近の電気伝導異常
• 28a-F-13 多重量子細線の電気伝導特性
• 4a-RJ-12 清浄シリコン表面へのNiSi_2膜のヘテロエピタキシー
• 31a-E-4 Ga_Al_xAsにおける内殻励起子(II)
• 30a-D-12 Si中の電子正孔液滴の発生に及ぼす不純物、格子欠陥の効果
• 5p-LT-5 中間濃度領域におけるSi:Pのフォトルミネセンス
• 5p-LT-4 スワール欠陥を有するSi中の電子・正孔液滴
• 11p-Y-14 イオン打込みで作ったGaP中のNN線
• 6a-KL-15 イオン打込み法によるアモルファスGaPの性質
• 5p-G-4 イオン折込みしたCdSのルミネセンス
• 3a-N-6 イオン打込みで形成されたCdSのN_2^中心のEPR
• 1a-TC-3 イオン打込みによって形成されたCdSの不純物準位
• ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタ
• 6-6 多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いた10×10画素液晶ディスプレイ
• InSbの抵抗異常とスピン散乱 : 半導体(輸送)
• 1)poly-Si TFTを用いた液晶スイッチマトリクスアレイ(画像表示研究会(第75回))
• 3a-F-14 量子井戸のフォトルミネッセンスの励起光強度依存性
• 原子間オージェ電子分光による固体表面および界面の研究
• 29a-FC-8 量子井戸発光の励起光強度依存性にみられる井戸幅に依る異常な変化(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))

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