小林 啓介 | 日立中研
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概要
関連著者
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小林 啓介
日立中研
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小松原 毅一
日立中研
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片山 良史
日立中研
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加藤 義喜
(株) 日立製作所中央研究所
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加藤 義喜
日立中研
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小林 啓介
光共研
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嶋田 寿一
日立中研
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大門 寛
阪大基礎工
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白木 靖寛
日立中研
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大門 寛
東大物性研
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村田 好正
東大物性研
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川村 肇
阪大理
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蒋 長根
東大物性研
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堀田 定吉
阪大理
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蒋 長根
東大物性研:(現)中国科学院物理研究所
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石坂 彰利
株式会社日立製作所中央研究所
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石坂 彰利
日立中研
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菅城 象二郎
日立中研
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加藤 寿喜
日立中研
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西 清次
阪大理
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高野 脩三
阪大理
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白木 靖寛
日立
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高野 脩三
九大理
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大門 寛
物性研
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村田 好正
物性研
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大山 忠司
阪大教養
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宇田 毅
日立中研
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Kunz C.
DESY
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Suski T.
UNIPRESS
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Karpinski J.
UNIPRESS
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Gerken F.
DESY
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小林 啓介
(株) 日立製作所中央研究所
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小松原 毅一
(株) 日立製作所中央研究所
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八田 一郎
東工大理
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高野 修三
阪大理
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大塚 エイ三
阪大教養
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大塚 エイ三
阪大 教養
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川村 肇
阪大 理
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松田 修
阪大教養
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高野 修三
九大理
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小林 啓介
日立製作所中央研究所
著作論文
- 27a-SB-10 光電子分光法によるa-Si_xC_ : Hの価電子帯の検討 (III)
- 30p-P-7 NiySi(y=0, 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3)からの共鳴型光電子放出 II
- 30a-B-11 光電子分光法によるa-Si_xC_:Hの価電子帯の検討 (II)
- 30a-F-13 a-Si_xC_:Hの光電子分光法による検討
- 2p-NM-4 Ni/Si界面電子構造-NiSiyの光電子分光
- 5p-DR-20 清浄Si-Al界面における結合状態(I)
- 1p-BE-12 AESによる清浄AL表面の吸着現象の検討
- 4a-E-10 Si-Al 界面の結合状態 III
- 4a-E-9 Si-Al 界面の結合状態 II
- 30p-D-2 IV-VI族半導体における立方晶-長方晶相転移と化学結合
- 28a-E-9 シンクロトロン放射によるAl/Si界面の研究
- 9p-R-7 PbSnTeのバンド反転組成近傍における相転移
- 9p-R-6 溶液成長法によるPb_Sn_xTe単結晶と相転移
- 4a-G-11 PbI_2薄膜のラマン散乱
- 5p-B-15 Pb_Sn_xTeのラマン散乱
- 5p-B-14 Pb_Sn_xTeの相転移とホール係数の異常
- 微小バンド・ギャップ半導体の相転移 : 格子不安定性と電子-格子相互作用
- 5a-U-9 IV-VI族半導体の格子不安定性(II) : Pb_Sn_xTeの相転移
- 5a-U-8 IV-VI族半導体の格子不安定性(I) : SnTeの相転移のキャリヤー濃度依存性
- 5a-U-7 SnTeの相転移点近傍における熱容量
- 10p-F-2 SnTeの相転移と電流磁気効果
- 4a-R-10 SnTeにおけるソフトフォノンとフリーキャリヤーの相互作用
- 12a-W-10 Pb_Sn_xTeの誘電率
- 12p-Q-1 表面酸化法による Pb_Sn_xTe の伝導型の変換
- 3p-KL-3 Pb_Sn_xTeの電子易動度
- 3p-KL-2 n-Type Pb_Sn_xTeのShubnikou-de Haas効果
- 23p-G-16 磁気プラズマ波の方法によるPb_Sn_xTeの静的誘電率の決定
- シンクロトロン放射を利用した光電子分光
- 22a-G-9 n-InSbにおけるサイクロトロン発光
- シンクロトロン放射を利用した光電子分光