宇田 毅 | 日立中研
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概要
関連著者
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宇田 毅
日立中研
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山田 栄三郎
日立中研
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本岡 輝昭
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平井 忠明
日立
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宇田 毅
日立
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小林 啓介
光共研
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大門 寛
東大物性研
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村田 好正
東大物性研
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小林 啓介
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大門 寛
阪大基礎工
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宮尾 正信
日立中研
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丸山 瑛一
日立
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片山 良史
日立中研
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日立中研
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蒋 長根
東大物性研
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高崎 幸男
日立
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高崎 幸男
日立中研
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後藤 直宏
(株)日立製作所電子デバイス事業部
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平井 忠明
日立デバイスエンジニアリング
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平井 忠明
日立中研
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後藤 直宏
NHK技研
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蒋 長根
東大物性研:(現)中国科学院物理研究所
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矢島 章夫
日立中研
著作論文
- 27a-SB-10 光電子分光法によるa-Si_xC_ : Hの価電子帯の検討 (III)
- 1p-PS-23 局所安定なアモルファスSiの構造
- 27a-SB-12 水素化シリコン薄膜の光学的性質
- 2a-B-1 超高濃度Si:Pの物性 (III) : 光学的性質
- 30a-B-2 シリコン薄膜の電子構造
- 30a-F-2 Siの複合欠陥の電子構造
- 3-11 非晶質カルコゲナイド系撮像管サチコンの動作解析
- 29p-Q-6 アモルファス・カルコゲナイドの欠陥制御
- 5a-B-5 カルコゲナイド・ガラスの光伝導過渡特性
- 31a GE-3 非晶質カルコゲナイドにおける非平衡統計
- 6a-LT-2 非晶質カルコゲナイドにおけるギャップ中準位の状態密度
- 3p-BJ-9 非昌質カルコゲナイドの不純物効果
- 12a-F-17 四面体配位構造をもつアモルファス半導体
- 6)不純物をドープした非晶質Seにおけるキャリア輸送特性(〔テレビジョン電子装置研究会(第126回)画像表示研究会(第86回)〕合同)
- 4a-A-10 アモルファスSiの構造と圧力効果
- 6a-KL-10 四面体構造をもつアモルファス半導体の電子状態