嶋田 寿一 | 日立中研
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概要
関連著者
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嶋田 寿一
日立中研
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片山 良史
日立中研
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小松原 毅一
日立中研
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小林 啓介
日立中研
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宇佐見 勝久
日立 中研
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宇佐美 勝久
日立日立研
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白木 靖寛
日立中研
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中川 清和
(株)日立製作所 中央研究所
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小林 啓介
光共研
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大門 寛
東大物性研
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村田 好正
東大物性研
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大門 寛
阪大基礎工
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蒋 長根
東大物性研
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加藤 義喜
(株) 日立製作所中央研究所
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加藤 義喜
日立中研
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中川 清和
日立中研
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宇佐美 勝久
日立中研
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蒋 長根
東大物性研:(現)中国科学院物理研究所
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丸山 瑛一
日立
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丸山 瑛一
日立中研
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松原 宏和
日立中研
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谷口 雅樹
広大院理
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関 正美
原研 那珂
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菅 滋正
東大物性研
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右高 正俊
日立中研
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谷口 雅樹
東大物性研
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関 正美
東大物性研
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国府田 隆夫
東大工
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三国 晃
高エネ研
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神前 熈
東大物性研
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宇田 毅
日立中研
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三国 晃
東大物性研
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加藤 寿喜
日立中研
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斉藤 忠
日立中研
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杉本 泰
農工大・工
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松森 徳衛
東海大・工
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宇佐見 勝久
日立中研
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嶋田 寿一
日立製作所中央研究所
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片山 良史
日立製作所中央研究所
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松森 徳衛
東海大
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USAMI Katsuhisa
日立製作所中央研究所
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宇佐美 勝久
日立製作所中央研究所
著作論文
- 27a-SB-10 光電子分光法によるa-Si_xC_ : Hの価電子帯の検討 (III)
- 30a-B-11 光電子分光法によるa-Si_xC_:Hの価電子帯の検討 (II)
- 30a-F-13 a-Si_xC_:Hの光電子分光法による検討
- 13a-E-9 微結晶Siの軟X線反射スペクトル
- 4a-G-11 PbI_2薄膜のラマン散乱
- 5p-B-15 Pb_Sn_xTeのラマン散乱
- 5p-B-14 Pb_Sn_xTeの相転移とホール係数の異常
- 5a-U-9 IV-VI族半導体の格子不安定性(II) : Pb_Sn_xTeの相転移
- 1p-PS-22 アモルファスシリコンのラマン散乱強度の光照射効果
- 12p-D-14 アモルファスシリコン膜の振動スペクトル
- 27a-SB-6 混相系アモルファスシリコン膜の振動スペクトル
- 11p-Y-14 イオン打込みで作ったGaP中のNN線
- 6a-KL-15 イオン打込み法によるアモルファスGaPの性質
- 5p-G-4 イオン折込みしたCdSのルミネセンス
- 3a-N-6 イオン打込みで形成されたCdSのN_2^中心のEPR
- 4a-NL-7 XPSおよび赤外吸収によるa-Si:F中のSi-Fボンドの検討(II)
- 2a-W-25 XPSによるアモルファス・シリコン中の不活性元素の"結合状態"の検討
- 29a-D-6 XPSによるa-Si_xC_: Hの結合状態の検討 (II)
- 4p-B-15 a-Si_xC : H の構造
- 31p GE-6 XPSによるa-Si_xC_:Hの結合状態の検討
- 反応性スパッタリング法によるa-SixC1-x:H"混非晶"の作成といくつかの性質
- 31a-F-3 化学結合状態と構造
- 1p-B-15 赤外吸収スペクトルによるa-Siの結合状態の検討
- 31p GE-5 a-Si_xC_:H系合金の性質
- 13a-H-12 イオン打込みしたヒ化ガリウムの電気伝導
- 4p-Q-14 薄膜のラマン散乱測定
- ナノテクノロジー : 私達の生活とナノエレクトロニクス : CDプレーヤーや携帯電話にナノテクノロジーが生きている
- 固体物理の応用 単一電子素子
- 構造--中距離秩序 (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
- まえがき ( 「光ディスクの物理」)
- XPSによるa-SixC1-x : H合金の組成分析