XPSによるa-Si<SUB><I>x</I></SUB>C<SUB>1-<I>x</I></SUB> : H合金の組成分析

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概要

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• Amorphous Si-C with H (<I>a</I>Si<SUB><I>x</I></SUB>C<SUB>1-<I>x</I></SUB> : H) alloy system formed in the gas mixture of Ar + 20% H<SUB>2</SUB> by r.f. sputtering method has been studied quantitatively by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The composition <I>x</I> has been obtained as a function of the fractional area (<I>A</I>) of Si on the sputtering target by using epitaxial grown SiC films as a standard. As a result, the composition x can be approximately evaluated by the equation; <I>x</I> = <I>A</I>/ {<I>A</I> + (1-A) ·ξ}, (ξ = 0.54), where ξ is the sputtering ratio of graphite to Si.

• 日本真空協会の論文

著者

• 嶋田 寿一

  日立中研

• 宇佐美 勝久

  日立日立研

• 嶋田 寿一

  日立製作所中央研究所

• 片山 良史

  日立製作所中央研究所

• USAMI Katsuhisa

  日立製作所中央研究所

• 宇佐美 勝久

  日立製作所中央研究所

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