3-11 非晶質カルコゲナイド系撮像管サチコンの動作解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1976-07-01
著者
関連論文
- 5)新型撮像管サチコン(テレビジョン電子装置研究会(第62回))
- 4)新型撮像管"サチコン"の特性について(第45回 テレビジョン電子装置研究会)
- 27a-SB-10 光電子分光法によるa-Si_xC_ : Hの価電子帯の検討 (III)
- 3a-G-1 CdSのShallow Trap
- 電流飽和領域における空間電荷制限電流 : 半導体 : ダイオード,不安定
- Phononのdamping : 半導体 : ダイオード,不安定
- CdSにおけるphononのdecay : 半導体(ダイオード)
- 5a-F-10 VO_2粉末結晶のNMR (II)
- 5a-F-9 VO_2粉末結晶のNMR I
- 1p-PS-23 局所安定なアモルファスSiの構造
- 27a-SB-12 水素化シリコン薄膜の光学的性質
- 2a-B-1 超高濃度Si:Pの物性 (III) : 光学的性質
- 30a-B-2 シリコン薄膜の電子構造
- 30a-F-2 Siの複合欠陥の電子構造
- 高分解能X線用撮像管の試作
- 3-17 高分解能X線用撮像管の開発
- 3)アモルファスシリコンを用いた高速度電子ビーム走査形撮像管(テレビジョン電子装置研究会(第123回))
- 2)撮像素子用a-Si : H膜(テレビジョン電子装置研究会(第119回))
- アモルファスシリコンを用いた高速度電子ビーム走査形撮像管
- 3-12 非晶質シリコン撮像管のX線I.I像撮像への応用
- 3-10 撮像デバイス用アモルファスシリコン
- 1)アバランシェ増倍型X線撮像管(情報入力研究会)
- 2)超高感度アバランシェ増倍型撮像管 : ハーピコンの超高感度化と雑音特性の解析(情報入力研究会)
- 1-1 アバランシェ方式撮像管における雑音の検討
- 19)サチコン光導電膜を用いた一次元センサ(テレビジョン電子装置研究会(第70回)画像表示研究会(第27回))
- 3-11 非晶質カルコゲナイド系撮像管サチコンの動作解析
- 非晶質Se-As-Te薄膜ヘテロ接合
- 16p-A-3 非晶質半導体の接合特性
- 10p-G-2 水晶の,圧力による分域変化に光学的観察 II
- Se系化合物ヘテロ接合の光電特性 II : イオン結晶・光物性
- Se系化合物ヘテロ接合の光電特性 I : イオン結晶・光物性
- 1p-L-2 アンスラセン蒸着膜の電子衝撃導電性
- アンスラセン結晶の光電導性 : 分子結晶・有機半導体
- 6p-H-4 高分子薄膜の電気的性質 III
- 6p-H-3 高分子薄膜の電氣的性質(II)
- 高分子薄膜の電気的性質(高分子)
- 6a-A-10 照射ポリエチレンの加熱効果
- 結晶性高分子の降状点強度の分散現象 : 高分子
- 19G"-11 二次元応力による高分子物質の伸長および破壊
- 19G"-9 結晶性高分子のレオロジー I
- 12p-D-14 アモルファスシリコン膜の振動スペクトル
- 27a-SB-6 混相系アモルファスシリコン膜の振動スペクトル
- 1)高性能ニューサチコンターゲットの開発(テレビジョン電子装置研究会(第146回))
- 2-7 新型サチコン光導電膜の開発
- 2)高解像度1インチHARP撮像管(〔情報入力研究会 情報ディスプレイ研究会〕合同)
- 1)超高感度ハイビジョン用Super-HARPハンディカメラ(情報入力研究会)
- 29p-Q-6 アモルファス・カルコゲナイドの欠陥制御
- 5a-B-5 カルコゲナイド・ガラスの光伝導過渡特性
- 31a GE-3 非晶質カルコゲナイドにおける非平衡統計
- 6a-LT-2 非晶質カルコゲナイドにおけるギャップ中準位の状態密度
- 3p-BJ-9 非昌質カルコゲナイドの不純物効果
- 12a-F-17 四面体配位構造をもつアモルファス半導体
- 4a-M-5 シリコンn型反転層中でのホット・エレクトロン効果
- 12a-H-12 n-InSbにおけるWarm ElectronのMagnetophonon Resonance
- 3a-N-3 Hot Electron Magnetophonon Effect in Longitudinal Fields
- n型InSbのホットエレクトロン効果 : 半導体シンポジウム : 低温における III-V 化合物のホット・エレクトロン
- 強磁場のホット・エレクトロン(IV) : 半導体(不純物伝導)
- 3p-H-1 強磁場のホット・エレクトロン
- 14a-K-13 強磁場のホット・エレクトロン(II)
- 6a-G-7 強磁場のホット・エレクトロン
- n-InSbの量子極限における非線型特性(II) : 半導体 : 不安定性
- 半導体のAzbel-Kanerサイクロトロン共鳴(半導体(マイクロ波))
- 4a-L-7 Degenerate SemiconductorのQuantum Limit Magnetoresistance
- 3)カルコゲナイド非晶質膜を用いた固体撮像素子(テレビジョン電子装置研究会(第88回))
- 3)非晶質薄膜を用いた密着読取り一次元センサ(テレビジョン電子装置研究会(第83回))
- 1)光導電型ターゲットの高感度化(テレビジョン電子装置研究会)
- ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタ
- 4)超高感度HARP方式撮像管の偽信号抑制の検討
- 27)a-Si/a-Se接合型アバランシェターゲット(〔テレビジョン電子装置研究会 画像表示研究会〕合同)
- 3-13 アバランシェ増倍型撮像管"ハーピコン"の動作解析
- 6)不純物をドープした非晶質Seにおけるキャリア輸送特性(〔テレビジョン電子装置研究会(第126回)画像表示研究会(第86回)〕合同)
- 不純物をドープした非晶質Seにおけるキャリア輸送特性
- 1)poly-Si TFTを用いた液晶スイッチマトリクスアレイ(画像表示研究会(第75回))
- 3-13 有機色分解フィルタを使用した単管カメラ用アモルファスシリコン撮像管
- 3)高感度単管カメラ用サチコンの開発(テレビジョン電子装置研究会(第128回))
- 2-5 光導電性ターゲットの高利得化
- 光導電型撮像管の走査側ブロッキング
- 5)光導電形撮像管の走査側ブロッキング(第41回テレビジョン電子装置研究会)
- 3-5 三セレン化砒素光導電形撮像管の諸特性
- As_2Se_3を用いた光導電形撮像管
- 3-6 As_2Se_3を用いた光導電形撮像管
- 1/2インチビジコン4427の特性
- 1)固体撮像素子用カラーフィルタ(テレビジョン電子装置研究会(第83回))
- 1)アモルファス半導体の入出力デバイスへの応用(〔情報入力研究会情報ディスプイ研究会〕合同)
- 基礎研究に「目的」は必要か--サイエンスへの貢献と文化のこころ (90年代の科学技術政策--基礎研究と国際化)
- アモルファス半導体の微量不純物効果
- S-3 アモルファス撮像デバイスの将来展望
- 4p-H-10 コメント : 非晶質半導体接合について
- CdSの電気分解に伴うルミネセンス : 光物性
- ゲルマニウム単結晶の成長 : XX. 半導体
- 2)ハイビジョン用1インチ全静電型HARP撮像管の特性(〔情報入力研究会情報ディスプイ研究会〕合同)
- 4a-A-10 アモルファスSiの構造と圧力効果
- 6a-KL-10 四面体構造をもつアモルファス半導体の電子状態
- 高分子薄膜の電気的性質
- 強磁場における半導体の電流磁場効果
- 10a-A-10 電流磁場効果の異方性 III
- 電流磁場効果の異方性 II : 半導体
- 電流磁場効果の異方性 : 半導体
- 2a-L-6 電流磁場現象の量子効果
- 27a-LM-6 量子障壁で空間分離された電子・正孔対による励起子形成(イオン結晶・光物性)