29p-Q-6 アモルファス・カルコゲナイドの欠陥制御
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1980-03-12
著者
関連論文
- 27a-SB-10 光電子分光法によるa-Si_xC_ : Hの価電子帯の検討 (III)
- 5a-F-10 VO_2粉末結晶のNMR (II)
- 5a-F-9 VO_2粉末結晶のNMR I
- 1p-PS-23 局所安定なアモルファスSiの構造
- 27a-SB-12 水素化シリコン薄膜の光学的性質
- 2a-B-1 超高濃度Si:Pの物性 (III) : 光学的性質
- 30a-B-2 シリコン薄膜の電子構造
- 30a-F-2 Siの複合欠陥の電子構造
- 3-11 非晶質カルコゲナイド系撮像管サチコンの動作解析
- 29p-Q-6 アモルファス・カルコゲナイドの欠陥制御
- 5a-B-5 カルコゲナイド・ガラスの光伝導過渡特性
- 31a GE-3 非晶質カルコゲナイドにおける非平衡統計
- 6a-LT-2 非晶質カルコゲナイドにおけるギャップ中準位の状態密度
- 3p-BJ-9 非昌質カルコゲナイドの不純物効果
- 12a-F-17 四面体配位構造をもつアモルファス半導体
- 4a-M-5 シリコンn型反転層中でのホット・エレクトロン効果
- 12a-H-12 n-InSbにおけるWarm ElectronのMagnetophonon Resonance
- 3a-N-3 Hot Electron Magnetophonon Effect in Longitudinal Fields
- n型InSbのホットエレクトロン効果 : 半導体シンポジウム : 低温における III-V 化合物のホット・エレクトロン
- 強磁場のホット・エレクトロン(IV) : 半導体(不純物伝導)
- 3p-H-1 強磁場のホット・エレクトロン
- 14a-K-13 強磁場のホット・エレクトロン(II)
- 6a-G-7 強磁場のホット・エレクトロン
- n-InSbの量子極限における非線型特性(II) : 半導体 : 不安定性
- 半導体のAzbel-Kanerサイクロトロン共鳴(半導体(マイクロ波))
- 4a-L-7 Degenerate SemiconductorのQuantum Limit Magnetoresistance
- 6)不純物をドープした非晶質Seにおけるキャリア輸送特性(〔テレビジョン電子装置研究会(第126回)画像表示研究会(第86回)〕合同)
- ゲルマニウム単結晶の成長 : XX. 半導体
- 4a-A-10 アモルファスSiの構造と圧力効果
- 6a-KL-10 四面体構造をもつアモルファス半導体の電子状態
- 強磁場における半導体の電流磁場効果
- 10a-A-10 電流磁場効果の異方性 III
- 電流磁場効果の異方性 II : 半導体
- 電流磁場効果の異方性 : 半導体
- 2a-L-6 電流磁場現象の量子効果
- 27a-LM-6 量子障壁で空間分離された電子・正孔対による励起子形成(イオン結晶・光物性)