微小バンド・ギャップ半導体の相転移 : 格子不安定性と電子-格子相互作用
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概要
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V族, IV一VI族, I一VII族などの一原子当り平均5個の価電子を持つ <V>族の結晶は基本的には NaCl型の立方晶構造をとるが, 条件によって菱面体晶, 斜方晶などの多形を呈する. これらの中で Ge_<1-x>Sn_xTe, Pb_<1-x>Ge_xTeなどのIV-VI族半導体は立方晶一菱面体晶の変位型相転移を起す. これらの半導体は0〜0.3 eVの微小なバンド・ギャップを持つため, その格子不安定性と電子的な性質との相関は強く, 様々の興味深い現象が期待される. ここではこのIV-VI族微小ギャップ半導体における格子不安定性をその化学結合の性質および電子帯構造との関連において考察し, 相転移機構における電子-格子相互作用のモデルについて述べ,更に最近の実験結果を紹介する.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1976-04-05
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