6a-G-6 ホットエレクトロンのQuantum Transport

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1967-04-02

著者

• 小松原 毅一

  日立中研

• 小寺 信夫

  日立中央研究所

• 小寺 信夫

  日立中研

関連論文

• 4a-WB-2 SiCl_4グラファイト層間化合物結晶のSOR軟X線による吸収分光
• 4a-WB-1 SiCl_4グラファイト層間化合物結晶のSOR軟X線による結晶解析
• 30p-D-2 IV-VI族半導体における立方晶-長方晶相転移と化学結合
• 9p-R-7 PbSnTeのバンド反転組成近傍における相転移
• 9p-R-6 溶液成長法によるPb_Sn_xTe単結晶と相転移
• 4a-G-11 PbI_2薄膜のラマン散乱
• 5p-B-15 Pb_Sn_xTeのラマン散乱
• 5p-B-14 Pb_Sn_xTeの相転移とホール係数の異常
• 微小バンド・ギャップ半導体の相転移 : 格子不安定性と電子-格子相互作用
• 5a-U-9 IV-VI族半導体の格子不安定性(II) : Pb_Sn_xTeの相転移
• 5a-U-8 IV-VI族半導体の格子不安定性(I) : SnTeの相転移のキャリヤー濃度依存性
• 5a-U-7 SnTeの相転移点近傍における熱容量
• 10p-F-2 SnTeの相転移と電流磁気効果
• 4a-R-10 SnTeにおけるソフトフォノンとフリーキャリヤーの相互作用
• 12a-W-10 Pb_Sn_xTeの誘電率
• 12p-Q-1 表面酸化法による Pb_Sn_xTe の伝導型の変換
• 3p-KL-3 Pb_Sn_xTeの電子易動度
• 3p-KL-2 n-Type Pb_Sn_xTeのShubnikou-de Haas効果
• 23p-G-16 磁気プラズマ波の方法によるPb_Sn_xTeの静的誘電率の決定
• 6a-B-7 n型反転層伝導電子の低温における局在化(II)
• 7a-U-6 n型反転層伝導電子の低温における局在化
• 3p-KL-4 SnTe;Pb_Sn_xTeの相転移
• 22a-G-9 n-InSbにおけるサイクロトロン発光
• 11p-Y-14 イオン打込みで作ったGaP中のNN線
• 6a-KL-15 イオン打込み法によるアモルファスGaPの性質
• 5p-G-4 イオン折込みしたCdSのルミネセンス
• 3a-N-6 イオン打込みで形成されたCdSのN_2^中心のEPR
• 1a-TC-3 イオン打込みによって形成されたCdSの不純物準位
• InSb薄膜ホール素子を用いたオーディオ用磁気再生ヘッド
• 3p-H-3 n-InSbにおける強磁場中のhot electronのマイクロ波photoconductivity
• 4a-M-1 Magnetic Quantum LimitにおけるSi-MOS表面量子化準位
• 4a-H-5 n-Si反転層内のMagnetoconductivity
• 4p-B-15 a-Si_xC : H の構造
• 31p GE-6 XPSによるa-Si_xC_:Hの結合状態の検討
• n-InSbに於ける強磁場中のHot ElectronのMicrowave Photoconductivity (II) : 半導体 (プラズマ)
• 31p GE-5 a-Si_xC_:H系合金の性質
• 4a-KL-5 多結晶InSb薄膜における電気伝導(I)
• 13a-H-12 イオン打込みしたヒ化ガリウムの電気伝導
• 7p-B-2 SiMOS反転層中の伝導電子の局在状態:閾値電圧附近の電気伝導度異常の一つの説明
• 4p-Q-14 薄膜のラマン散乱測定
• 4a-H-4 Si MOS反転層内二次元不純物状態
• 9a-B-15 Si n型反転層の移動度と磁気抵抗
• 9a-B-14 InSb表面反転層の磁気抵抗振動現象と表曲量子効果
• 8p-B-4 MOS表面反転層における電気伝導
• 4a-TC-1 InSb表面反転層の磁気抵抗と赤外Photoconductivity(II)
• 2p-TC-1 n型Sbのホットエレクトロンによるマイクロ波photo-conductivity(III)
• 18p-A-4 InSb表面反転層の磁気抵抗と赤外Photoconductivity
• InSb表面反転層の磁気抵抗 : 半導体
• 3p-H-4 n型InSbの量子極限におけるホットエレクトロンによる非線形特性
• 6a-G-6 ホットエレクトロンのQuantum Transport
• n-InSbの量子限界に於ける電流発振 : 半導体(不安定性)
• 3p-H-2 InSbのホットエレクトロンの表面量子輸送現象
• n-InSbの量子極限における非線型特性(I) : 半導体 : 不安定性
• 補償されたGermaniumの負性抵抗の磁場による影響 : 半導体
• G. Dearnaley, J. H. Freeman, R. S. Nelson and J. Stephen : Ion Implantation, North-Holland, Amsterdam and London, 1973, xv+802ページ, 23×16cm, 29,250円 (Series, Defects in Crystalline Solids, Vol. 8).
• B. L. Crowder編 : Ion Implantation in Semi-conductors and Other Materials, Plenum Press, New York and London, 1973, xii+657ページ, 26×17.5cm, 12,950円 (The IBM Research Symposia Series).
• Si表面反転層内の電気伝導現象
• 2a-H-5 n-InSb-Oxide-Metal系のトンネル特性II
• 14a-K-1 n-InSb-Oxide-Metal系のトンネル特性
• 8p-F-10 補償されたGeのマイクロ波電導度
• Compensated GeのCarrier Lifetime : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
• P-Geのimpurity breakdown ; impurity Conductionのuniaxial stressによる変化 : 半導体(Si, Ge)
• 5a-A-6 補償されたゲルマニウムの磁場発振及び圧力効果
• 補償されたGe, Siの負性抵抗の光照射効果 (II) : 半導体
• 4a-L-13 Ge,SiのCryosarの光照射の効果
• 10p-A-12 極低温に於けるゲルマニウムの負性抵抗

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク