小寺 信夫 | 日立中研
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概要
関連著者
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小寺 信夫
日立中央研究所
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小寺 信夫
日立中研
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小松原 毅一
日立中研
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片山 良史
日立中研
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吉田 功
日立中研
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前川 洋
東海大学工学部
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佐藤 喜久治
日立中央研究所
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伊藤 良一
日立中研
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重田 淳二
日立中研
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前川 洋
東海大
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大井 〓
日立中研
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佐藤 喜久治
日立中研
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片山 良央
日立中研
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小松原 毅
日立中研
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片山 良巳
日立中研
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片岡 良史
日立中研
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小林 敏彦
東海大電子
著作論文
- 3p-H-3 n-InSbにおける強磁場中のhot electronのマイクロ波photoconductivity
- n-InSbに於ける強磁場中のHot ElectronのMicrowave Photoconductivity (II) : 半導体 (プラズマ)
- 4a-KL-5 多結晶InSb薄膜における電気伝導(I)
- 4a-H-4 Si MOS反転層内二次元不純物状態
- 9a-B-15 Si n型反転層の移動度と磁気抵抗
- 9a-B-14 InSb表面反転層の磁気抵抗振動現象と表曲量子効果
- 8p-B-4 MOS表面反転層における電気伝導
- 4a-TC-1 InSb表面反転層の磁気抵抗と赤外Photoconductivity(II)
- 2p-TC-1 n型Sbのホットエレクトロンによるマイクロ波photo-conductivity(III)
- 18p-A-4 InSb表面反転層の磁気抵抗と赤外Photoconductivity
- InSb表面反転層の磁気抵抗 : 半導体
- 3p-H-4 n型InSbの量子極限におけるホットエレクトロンによる非線形特性
- 6a-G-6 ホットエレクトロンのQuantum Transport
- n-InSbの量子限界に於ける電流発振 : 半導体(不安定性)