前川 洋 | 東海大学工学部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
前川 洋
東海大学工学部
-
松森 徳衛
東海大工
-
小林 敏彦
東海大工
-
和泉 富雄
東海大(工)
-
和泉 富雄
東海大工
-
前川 洋
東海大工
-
松森 徳衛
東海大学工学部電子工学科
-
小松原 毅一
日立中研
-
武田 候政
(医)珠光会付属蓮見癌研究所
-
渡辺 寛
都立大理
-
小寺 信夫
日立中央研究所
-
小寺 信夫
日立中研
-
武田 候政
東海大工
-
家田 要
東海大工
-
宮崎 健一郎
東海大工
-
渡辺 寛
東海大工
-
岩撫 久男
東海大工
-
小林 敏彦
東海大学工学部電子工学科
-
前川 洋
東海大
-
宮崎 健一郎
東海大学工学部
著作論文
- 30a-U-6 イオン打込みによって生じた格子欠陥のESR
- 7a-B-9 N^+イオン打込みのSiのE.S.R.(lig.He測定)
- 7a-B-8 B^+イオン打込みSiのESR(電気的特性との比較)
- 7a-B-7 ESR of Defects in O^+ Ion Implanted Silicon (Si-P2 Center)
- 7a-B-6 P^+イオン打ち込みのESR(アニール特性)
- 3a-N-5 P^+イオン打込みSiのdefectsのESR(打込み条件による変化)
- 3a-N-4 P^+イオン打込みSiのdefectsのESR(電気的特性との比較)
- 3a-N-3 Bイオン打込みSiのEPR
- 3a-N-2 EPR of Defects in O ION Implanted Silicon
- ほう素イオン打ち込みシリコンのアニール特性
- イオン打ち込み層のキャリア濃度分布について
- n-InSbに於ける強磁場中のHot ElectronのMicrowave Photoconductivity (II) : 半導体 (プラズマ)