ほう素イオン打ち込みシリコンのアニール特性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 担癌患者の胸水,腹水中における安定ラジカルのESR
- Au蒸着Siダイオードの試作及び応用〔?〕
- 14p-W-9 スピネル型化合物半導体CdIn_2S_4;Cr^の磁気共鳴
- 1a-TC-3 イオン打込みによって形成されたCdSの不純物準位
- 10p-U-9 イオン打込みシリコンに生じた格子欠陥のESR(II)
- 30a-U-6 イオン打込みによって生じた格子欠陥のESR
- 7a-B-9 N^+イオン打込みのSiのE.S.R.(lig.He測定)
- 7a-B-8 B^+イオン打込みSiのESR(電気的特性との比較)
- 7a-B-7 ESR of Defects in O^+ Ion Implanted Silicon (Si-P2 Center)
- 7a-B-6 P^+イオン打ち込みのESR(アニール特性)
- 3a-N-5 P^+イオン打込みSiのdefectsのESR(打込み条件による変化)
- 3a-N-4 P^+イオン打込みSiのdefectsのESR(電気的特性との比較)
- 3a-N-3 Bイオン打込みSiのEPR
- 3a-N-2 EPR of Defects in O ION Implanted Silicon
- 18a-A-1 GaAs表面のESR
- InAs粉末のESR : 半導体 (表面)
- GaAs表面のESR : 半導体 (表面)
- InAs表面の電子スピン共鳴
- シリコン粉末の熱処理効果 : 電子スピン共鳴による研究
- Si粉末のESR(I) : 半導体 : 結晶成長
- Si粉末のESR
- ほう素イオン打ち込みシリコンのアニール特性
- 窒素イオン打ち込みシリコンにおける電子スピン共鳴
- イオン打ち込み層のキャリア濃度分布について
- n-InSbに於ける強磁場中のHot ElectronのMicrowave Photoconductivity (II) : 半導体 (プラズマ)
- N^+イオン,Si^+イオン注入したInP中の欠陥のアニ-リング特性
- PA14 InPのエネルギー緩和過程(ポスターセッション2-概要講演・展示)
- N^+イオン打ち込みGaPの常磁性欠陥中心の電子スピン共鳴
- アブストラクト
- 3Kと呼ばれるクラブ