GaAs表面のESR : 半導体 (表面)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1969-03-30
著者
関連論文
- 担癌患者の胸水,腹水中における安定ラジカルのESR
- 10p-U-9 イオン打込みシリコンに生じた格子欠陥のESR(II)
- 30a-U-6 イオン打込みによって生じた格子欠陥のESR
- 7a-B-9 N^+イオン打込みのSiのE.S.R.(lig.He測定)
- 7a-B-8 B^+イオン打込みSiのESR(電気的特性との比較)
- 7a-B-7 ESR of Defects in O^+ Ion Implanted Silicon (Si-P2 Center)
- 7a-B-6 P^+イオン打ち込みのESR(アニール特性)
- 3a-N-5 P^+イオン打込みSiのdefectsのESR(打込み条件による変化)
- 3a-N-4 P^+イオン打込みSiのdefectsのESR(電気的特性との比較)
- 3a-N-3 Bイオン打込みSiのEPR
- 3a-N-2 EPR of Defects in O ION Implanted Silicon
- 18a-A-1 GaAs表面のESR
- InAs粉末のESR : 半導体 (表面)
- GaAs表面のESR : 半導体 (表面)
- InAs表面の電子スピン共鳴
- シリコン粉末の熱処理効果 : 電子スピン共鳴による研究
- Si粉末のESR(I) : 半導体 : 結晶成長
- Si粉末のESR
- ほう素イオン打ち込みシリコンのアニール特性
- 窒素イオン打ち込みシリコンにおける電子スピン共鳴
- イオン打ち込み層のキャリア濃度分布について
- PA14 InPのエネルギー緩和過程(ポスターセッション2-概要講演・展示)