和泉 富雄 | 東海大(工)
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概要
関連著者
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和泉 富雄
東海大(工)
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松森 徳衛
東海大工
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和泉 富雄
東海大工
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小林 敏彦
東海大工
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前川 洋
東海大学工学部
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前川 洋
東海大工
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和泉 富雄
東海大学工学部
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松森 徳衛
東海大学工学部電子工学科
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月花 靖雄
東海大学工学部電子工学科
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宮崎 健一郎
東海大学工学部
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武田 候政
(医)珠光会付属蓮見癌研究所
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渡辺 寛
都立大理
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月花 靖雄
東海大学工学部電気工学科
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小林 敏彦
東海大(工)
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宮崎 健一郎
東海大(工)
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松森 徳衛
東海大(工)
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武田 候政
東海大工
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家田 要
東海大工
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宮崎 健一郎
東海大工
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渡辺 寛
東海大工
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岩撫 久男
東海大工
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川辺 昭治
東海大工
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和泉 富雄
東海大 (工)
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松森 徳衛
東海大 (工)
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三木 容彦
東海大工
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安村 洋一
東海大学工学部電子工学科
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月花 靖雄
東海大工
著作論文
- 10p-U-9 イオン打込みシリコンに生じた格子欠陥のESR(II)
- 30a-U-6 イオン打込みによって生じた格子欠陥のESR
- 7a-B-9 N^+イオン打込みのSiのE.S.R.(lig.He測定)
- 7a-B-8 B^+イオン打込みSiのESR(電気的特性との比較)
- 7a-B-7 ESR of Defects in O^+ Ion Implanted Silicon (Si-P2 Center)
- 7a-B-6 P^+イオン打ち込みのESR(アニール特性)
- 3a-N-5 P^+イオン打込みSiのdefectsのESR(打込み条件による変化)
- 3a-N-4 P^+イオン打込みSiのdefectsのESR(電気的特性との比較)
- 3a-N-3 Bイオン打込みSiのEPR
- 3a-N-2 EPR of Defects in O ION Implanted Silicon
- 18a-A-1 GaAs表面のESR
- InAs粉末のESR : 半導体 (表面)
- GaAs表面のESR : 半導体 (表面)
- InAs表面の電子スピン共鳴
- シリコン粉末の熱処理効果 : 電子スピン共鳴による研究
- Si粉末のESR(I) : 半導体 : 結晶成長
- Si粉末のESR