InAs表面の電子スピン共鳴
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Si超微粒子を用いたELデバイスからの発光特性の改善
- ナノクリスタルSiの形成とESR・発光評価
- SiドープSiO_2薄膜の欠陥構造
- CVDダイヤモンド薄膜表面からの電子放出と欠陥密度との関係
- 担癌患者の胸水,腹水中における安定ラジカルのESR
- SiO_2膜中のSiナノ結晶成長の高分解能その場観察
- ESR法によるCVDダイヤモンド薄膜の評価
- ホットウォールタイプLPCVD法をもちいたSi上への単結晶3C-SiC成長技術
- Au蒸着Siダイオードの試作及び応用〔?〕
- 30p-L-10 Fe-Si系化合物の作製と評価(II)
- Fe-Si系半導体の作製と評価
- イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性
- イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性
- イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性
- イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性
- 1a-TC-3 イオン打込みによって形成されたCdSの不純物準位
- 10p-U-9 イオン打込みシリコンに生じた格子欠陥のESR(II)
- 30a-U-6 イオン打込みによって生じた格子欠陥のESR
- 7a-B-9 N^+イオン打込みのSiのE.S.R.(lig.He測定)
- 7a-B-8 B^+イオン打込みSiのESR(電気的特性との比較)
- 7a-B-7 ESR of Defects in O^+ Ion Implanted Silicon (Si-P2 Center)
- 7a-B-6 P^+イオン打ち込みのESR(アニール特性)
- 3a-N-5 P^+イオン打込みSiのdefectsのESR(打込み条件による変化)
- 3a-N-4 P^+イオン打込みSiのdefectsのESR(電気的特性との比較)
- 3a-N-3 Bイオン打込みSiのEPR
- 3a-N-2 EPR of Defects in O ION Implanted Silicon
- 18a-A-1 GaAs表面のESR
- InAs粉末のESR : 半導体 (表面)
- GaAs表面のESR : 半導体 (表面)
- InAs表面の電子スピン共鳴
- シリコン粉末の熱処理効果 : 電子スピン共鳴による研究
- Si粉末のESR(I) : 半導体 : 結晶成長
- Si粉末のESR
- US2000-27 / EMD2000-23 / CPM2000-38 / OME2000-33 ダイヤモンド薄膜の熱特性画像
- US2000-27 / EMD2000-23 / CPM2000-38 / OME2000-33 ダイヤモンド薄膜の熱特性画像
- US2000-27 / EMD2000-23 / CPM2000-38 / OME2000-33 ダイヤモンド薄膜の熱特性画像
- US2000-27 / EMD2000-23 / CPM2000-38 / OME2000-33 ダイヤモンド薄膜の熱特性画像
- Si単結晶のHのふるまい : 半導体 (拡散・インプランテーション)
- ほう素イオン打ち込みシリコンのアニール特性
- 窒素イオン打ち込みシリコンにおける電子スピン共鳴
- イオン打ち込み層のキャリア濃度分布について
- N^+イオン,Si^+イオン注入したInP中の欠陥のアニ-リング特性
- PA14 InPのエネルギー緩和過程(ポスターセッション2-概要講演・展示)
- N^+イオン打ち込みGaPの常磁性欠陥中心の電子スピン共鳴
- アブストラクト