ESR法によるCVDダイヤモンド薄膜の評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Defect structures in diamond films prepared by CVD method have been studied using electron spin resonance (ESR) method. ESR signals were compared with those of IIb type natural diamond and amorphous carbon to investigate the defect structures in CVD-diamond films. Two kinds of ESR centers were observed in CVD-diamond films. That is, one is a narrow ESR center (g=2.003,⊿H_<pp>=3 Oe) originated from carbon dangling bonds in diamond phase carbon, and the other is a broad ESR center (g=2.003,⊿H_<pp>=8 Oe) originated from carbon dangling bonds in non-diamond phase carbon region. The broad ESR center is the characteristic of the defect structures in CVD-diamond films. The broad ESR center exists in surface region of CVD-diamond films with spin density of 10^<20> spins/cm^3.
- 東海大学の論文
著者
-
岩瀬 満雄
東海大学
-
庄 善之
東海大学工学部
-
和泉 富雄
東海大学工学部
-
岩瀬 満雄
東海大学工学部材料科学科
-
岩瀬 満雄
東海大学工学部
-
庄 善之
東海大学電子情報学部電気電子工学科
-
庄 善之
東海大学工学部電気電子工学科
-
和泉 富雄
東海大学
-
岩瀬 満雄
東海大
関連論文
- Si超微粒子を用いたELデバイスからの発光特性の改善
- ナノクリスタルSiの形成とESR・発光評価
- PD01 SiO_2薄膜中でのSi超微粒子の形成過程における光音響スペクトルとPLスペクトルの変化(ポスターセッションI)
- SiドープSiO_2薄膜の欠陥構造
- 衝撃圧縮によるW-Cr合金化と新電極材への可能性
- CVDダイヤモンド薄膜表面からの電子放出と欠陥密度との関係
- アナターゼ型酸化チタン薄膜の紫外線で発現する光誘起親水性に関する研究
- SiO_2膜中のSiナノ結晶成長の高分解能その場観察
- ESR法によるCVDダイヤモンド薄膜の評価
- イオンビームアシスト蒸着法によるSiN_x膜の製作
- 非晶質炭素薄膜の電気伝導
- ホットウォールタイプLPCVD法をもちいたSi上への単結晶3C-SiC成長技術
- 30p-L-10 Fe-Si系化合物の作製と評価(II)
- Fe-Si系半導体の作製と評価
- 高周波プラズマCVD法を用いたガラス基板上へのカーボンナノチューブの作製と評価(電気電子工学)
- PEFCにおける発電時間に対する白金粒子のTEMによる粒径観察
- 白金触媒の代わりにMn, MnO_2を用いた固体高分子型燃料電池(PEFC)の特性
- 二酸化マンガンを触媒に使用したPEFCの特性
- カーボンナノチューブの大面積,低温作成とその電気二重層キャパシタへの応用(2006年度学部等研究教育補助金採択者報告)
- 燃料電池駆動に用いる水素発生装置の作製
- 光音響法によるSiイオンを注入したシリコン基板の熱伝導率とアニール特性の研究
- イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性
- イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性
- イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性
- イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性
- ハイブリッドモード熱電子発電器の点火モード転移特性
- 熱電子発電器内電極の実効仕事関数解析と機能的エミッタ材料の形成
- 熱電子発電器の複合コレクタ型ハイブリッドモードモデルの提案と傾斜機能材料構造コレクタの製作
- イオンビームアシスト蒸着法によるA1N_x膜の製作
- イオンビームアシスト蒸着法によるGe薄膜の特性
- InAs表面の電子スピン共鳴
- シリコン粉末の熱処理効果 : 電子スピン共鳴による研究
- Si粉末のESR
- 光音響法を用いた熱伝導率を通しての半導体薄膜の特性評価
- US2000-27 / EMD2000-23 / CPM2000-38 / OME2000-33 ダイヤモンド薄膜の熱特性画像
- US2000-27 / EMD2000-23 / CPM2000-38 / OME2000-33 ダイヤモンド薄膜の熱特性画像
- US2000-27 / EMD2000-23 / CPM2000-38 / OME2000-33 ダイヤモンド薄膜の熱特性画像
- US2000-27 / EMD2000-23 / CPM2000-38 / OME2000-33 ダイヤモンド薄膜の熱特性画像
- 光音響法によるGaAsのSiイオン打ち込み層の熱伝導率の測定
- 光音響法によるGaAsのSiイオン打ち込み層の熱伝導率の測定
- 光音響法によるGaAsのSiイオン打ち込み層の熱伝導率の測定
- 光音響法によるGaAsのSiイオン打ち込み層の熱伝導率の測定
- Si単結晶のHのふるまい : 半導体 (拡散・インプランテーション)
- 非晶質炭素-金属界面の電気的性質及びその機能素子への応用