イオンビームアシスト蒸着法によるSiN_x膜の製作
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概要
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Optimum ion-irradiation conditions for reactive ion-beam-assisted film deposition have been investigated. Nitrogen ions have been irradiated during Si evaporation to form silicon nitrides. The best irradiation conditions are as follows : Ion acceleration energy, 150 eV ; the arrival rate of N_2^+ ions to Si atoms, about 0.7. The deposited films are found to be SiN_x on Corning 7059 glass substrates, whereas silicon oxynitride on Si wafer substrates under the same irradiation conditions. In the later case, oxygen is supposed to be injected into the films from Si wafer by the gettering phenomenon.
- 東海大学の論文
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