ショットキーダイオードによるGaAsの物性研究
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 東京工業高等専門学校の論文
- 1977-11-30
著者
関連論文
- 3a-A3-4 RFマグネトロンスパッタリング法によるSiC薄膜の熱的性質
- 3a-A3-3 SiC薄膜の電気的特性への不純物および粒界の影響
- (4)ものづくりの心を育てる物理教育を目指して(セッション1 教育システムA(講義・演習)I)
- イオンビームアシスト蒸着法によるSiN_x膜の製作
- 6-323 東京高専における新入生向け体験重視型専門基礎教育 : その3 電子工学分野 : 新入生必修工学基礎教育の一環としての電子工学導入教育(口頭発表論文,(8)ものつくり教育-IX)
- 新入生必修科目としての電子工学導入教育 : 東京高専全新入生対象の工学基礎教育の一環として
- 9-105 新入生向け工学系共通教育としての電子工学導入教育 : 東京高専1年次の5クラス共通の専門導入教育として((5)工学教育の個性化・活性化-I)
- (269)フィードバック制御教育のための導入実験の試み(セッション78 工学教育の個性化・活性化III)
- 90 低学年の工学導入教育の新しい試み : 総合工学基礎(工学教育の個性化・活性化III,第23セッション)
- イオンビームアシスト蒸着法によるGe薄膜の特性
- 東京高専における「教育研究活動等に係る自己申告書」の取り組み
- 7-221 東京高専における「教育研究活動等に係る自己申告書」の取り組み : 教員の教育研究活動の点検評価の試み(オーガナイズドセッション「教育評価・自己点検・評価システム」-II 教員評価)
- システム科学を基盤とした技術教育カリキュラムの開発
- ダブルプローブ法による高周波イオンプレーティング装置のプラズマ密度測定
- 金属クラスタイオン源の応用
- ショットキーダイオードによるGaAsの物性研究
- マイクロ波による厚さ測定
- RIEを用いた光学サブミクロンリソグラフィ
- 非晶質半導体の電気特性
- イオン源に関する研究 : セルフ・クロスド・フィールド形イオン源の特性
- イオン源に関する研究 : 電子衝撃型イオン源の特性
- MOSFETの特性式に関する研究(II):C-MOS回路のパルス応答と温度特性解析への応用
- MOS-FETの特性式に関する研究
- イオンプレーティングの基礎特性と結晶成長