3a-A3-3 SiC薄膜の電気的特性への不純物および粒界の影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1988-09-16
著者
-
福地 充
慶大理工
-
大山 昌憲
東京高専
-
大橋 一利
玉川大工
-
大橋 芳子
慶大理工
-
大橋 一利
玉川大工、慶大理工
-
大山 昌憲
東京工専
-
加藤 牧夫
東京工専
-
伊東 栄二
ジェコー
-
常山 靖
ジェコー
-
松村 茂
慶大理工
-
大山 昌憲
東京工業高等専門学校
-
加藤 牧夫
東京工業高等専門学校
関連論文
- 高周波マグネトロンスパッタリング法により作製した結晶性GaTe薄膜の膜構造と光吸収スペクトル
- 電子ビーム蒸着法により石英ガラス上に作製した GaSe の薄膜成長と光学的性質
- 2p-KH-1 鎖状IV族水素化物のエネルギ帯構造
- 3B17 STMによる液晶分子の配向観察
- 31a-P-2 Pd中の点欠陥内での常温核融合 II
- 29p-D-9 Pd中の点欠陥内の常温核融合
- 3p-Q-13 金属中の水素の依存状態II
- 28p-K-8 金属表面付近での不純物水素の挙動
- 28p-K-6 転位の揺動運動による熱活性
- 28p-K-5 格子モデルを用いたクラックの進展機構の解析
- 30a-RC-4 SiZe効果を考慮したAl中の不純物水素の安定位置の研究
- 1a-M-4 Mg中の空孔による不純物水素原子の捕獲II
- 3p-C-9 金属中の空孔による不純物水素原子の捕獲II
- 1p-KL-2 金属中の空孔による不純物水素原子の捕獲
- 12a-K-1 金属中における2個の空格子点間の相互作用
- 29a-R-7 Mg結晶中の不純物水素原子
- 2a-SG-13 hcp格子Mg中のH原子
- 3a-YC-1 遷移金属合金におよぼす局所的電荷中性条件の影響
- 4a-PS-3 鉄窒素合金Fe_4Nの電子状態と磁性
- 3p-PSA-28 BCCRuの電子状態と磁性
- 29a-PS-39 電荷中性条件を入れた遷移金属合金におけるKKR-CPA法の適用
- 29a-PS-38 Fe_4X(X=H, B, C, N)の電子状態と磁性
- 15a-PS-12 鉄合金に及ぼす置換型不純物元素の影響
- 29p-D-3 KKR-CPA法による原子空孔の電子状態と形成エネルギー
- 27a-ZE-3 LAPW法によるCuPd合金の生成熱
- 29p-ZE-12 Cu-Pd不規則合金の凝集エネルギー
- CPAによる貴金属合金の凝集エネルギー
- KKR-CCPA法による貴金属合金の電子構造
- 3a-Z-2 ヒューズ回路法を用いた不規則材料における破壊のコンピュータシミュレーション
- 30a-F-13 A1およびCu金属中の振動転位の減衰定数
- 6a-Q-3 イオン結晶中の振動転位の減衰定数
- 5p-N-7 KKR-CPA法によるCu-Pd合金の電子構造について
- 3a-A3-4 RFマグネトロンスパッタリング法によるSiC薄膜の熱的性質
- 3a-A3-3 SiC薄膜の電気的特性への不純物および粒界の影響
- 24pY-9 単結晶人工ダイヤモンドの1/fノイズの温度変化
- 27pD-8 ボロンが添加された単結晶人工ダイヤモンドの低温におけるホッピング伝導
- エチレングリコール溶液中におけるシリコン陽極酸化膜のX線光電子分光法による解析
- 高周波マグネトロンスパッタリング法により作製した結晶性GaTe薄膜の膜構造と光吸収スペクトル
- 化合物半導体薄膜の低温結晶成長技術
- 28a-RC-4 LiF結晶における運動転位のフォノンによる摩擦力
- Frenkel-Kontorora転位の運動
- 2p-C-11 転位の電子構造
- 2p-KL-2 Frenkel-Kontroveモデルの転位の運動II
- 2p-KL-1 結晶中の振動転位による局在化モード
- 28a-K-1 コバルト/貴金属系多層膜の輸送的性質
- 31a-U-11 Al中のHの格子振動スペクトル
- 31a-U-11 Al中のHの格子振動スペクトル
- 低温におけるホッピング伝導へのクーロンギャップの影響
- 転位群の配列
- 円形disk共振器の高周波特性
- 矩形disk共振器の高周波特性
- 13a-B-6 希土類金属Euの一般化帯磁率とバンド間結合状態密度
- 30a-R-7 希土類金属EuのSCF状態密度とアイソマーシフト
- 30a-R-6 Euのド・ハースーファン・アルフェン振動数とフェルミ面
- 30a-D-2 希土類金属Euのセルフコンシステント・バンド構造とらせん型スピン秩序
- 4a-NS-14 bcc Euのセルフ・コンシステント バンドと磁性
- 非晶質薄膜の磁性-8-インバ-薄膜の強磁性共鳴
- 鉄ニッケル系インバー薄膜の強磁性共鳴と電気的性質
- 13a-W-3 インバー薄膜の磁性
- 25a-T-1 Ag系金属多層膜の熱伝導
- 29a-R-7 Mg結晶中の不純物水素原子
- 2a-SG-13 hcp格子Mg中のH原子
- SCRチョッパによって電流瞬時値制御される直流直巻電動機の過渡応答の解析
- 水素化非晶質Cuド-ピングSiC薄膜の物性と応用
- 基板バイアスを用いた電子ビーム蒸着法によるセレン化ガリウム(GaSe)薄膜の作製
- 磁性不純物同時蒸着法によるZnSe薄膜の電気伝導
- RFマグネトロンスパッタリング法によるITO導電性薄膜の作製と基礎物性
- RIEを用いた光学サブミクロンリソグラフィ
- 非晶質半導体の電気特性
- センサ-と化合物半導体機能性材料 (『技術懇談会』平成7年度第1回懇談会特別講演・研究紹介概要)
- 電子ビーム蒸着法による層状性GaS薄膜作製
- 電子ビーム蒸着法による層状性GaSe薄膜作製
- 化学蒸着 (特集 高機能を付与する成膜技術最前線) -- (プロセス技術編)
- MIS構造Al-Al_2O_3-GaSのV-I特性
- RFスパッタリングによるGa_2S_薄膜の基礎特性
- RFスパッタリングによるSiC薄膜の電気的性質
- エチレングリコール溶液中における単結晶シリコン陽極酸化の電解液温度の影響
- 電流遮断法による単結晶シリコン陽極酸化の解析
- CVD 法による機能性材料(材料表面機能化とその材料特性)
- 11a-L-1 Frenkel-Kontorova転位の運動
- 非晶質薄膜の磁性-7-インバ-効果と表面磁性
- 鉄ニッケル系インバー薄膜の組成解析
- 大気中-針対平板電極における直流コロナ放電音の周波数分析
- コロナ放電音の周波数分析
- Ga_ In_As/P^+-InPのショットキー接触
- 真空蒸着法による酸化インジュウム薄膜の熱処理過程
- 瞬時値制御法による直流直巻電動機の速度制御
- 東京高専の視聴覚室における残響時間の測定結果について
- シリコンオイルの電気特性(2)
- 界面インピーダンス法による銅とはんだの接合界面評価
- 27a-H-3 アルカリハライド中の振動転移による局在化モード及び共鳴モード
- 30a-SG-1 アルカリハライド結晶中の振動転位の張力と質量
- 3a-NJ-12 LiF結晶中の転位によるフォノンの共鳴モードと局在化モード
- 界面インピーダンス法による銅とはんだの接合界面評価
- 30a-K-4 二層金属表面の電子論的研究(金属)
- 28p-T-7 コンピュータシミュレーションによる不純物がクラックの進展に及ぼす効果(28pT 格子欠陥)
- 2p-A3-7 Mg中の空孔による不純物水素原子の捕獲(2p A3 格子欠陥,格子欠陥)
- 2p-A3-6 空孔近傍に不純物を含む系の電子分布(2p A3 格子欠陥,格子欠陥)
- 29p-FA-1 Mg中の空孔による不純物水素原子の捕獲III(29p FA 格子欠陥)
- 2p-A3-8 Al金属中の水素原子の挙動(2p A3 格子欠陥,格子欠陥)