電子ビーム蒸着法による層状性GaS薄膜作製
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Thin films of the layered Gallium Sulfide (GaS) on fused silica have been grown at substrate temperature in the range 25-400°C by electron beam deposition method, and characterized through X-ray diffraction, nano-probe microscopy, optical absorption and Raman spectra studies. The films deposited at 400°C have a crystalline structure and the c-axis in the hexagonal phase is oriented perpendicular to the substrate plane. The optical properties in the crystalline GaS films follow the same mechanism as that of the GaS single crystal.
- 日本真空協会の論文
- 2003-03-20
著者
-
大山 昌憲
(株)サンバック
-
伊藤 浩
東京工業高等専門学校電気工学科
-
大山 昌憲
東京高専
-
大山 昌憲
東京工業高等専門学校
-
伊藤 浩
国立東京工業高等専門学校電気工学科
-
大山 昌憲
国立東京工業高等専門学校電気工学科
関連論文
- 高周波マグネトロンスパッタリング法により作製した結晶性GaTe薄膜の膜構造と光吸収スペクトル
- 電子ビーム蒸着法により石英ガラス上に作製した GaSe の薄膜成長と光学的性質
- 3B17 STMによる液晶分子の配向観察
- 3a-A3-4 RFマグネトロンスパッタリング法によるSiC薄膜の熱的性質
- 3a-A3-3 SiC薄膜の電気的特性への不純物および粒界の影響
- エチレングリコール溶液中におけるシリコン陽極酸化膜のX線光電子分光法による解析
- 高周波マグネトロンスパッタリング法により作製した結晶性GaTe薄膜の膜構造と光吸収スペクトル
- 化合物半導体薄膜の低温結晶成長技術
- 28a-K-1 コバルト/貴金属系多層膜の輸送的性質
- 非晶質薄膜の磁性-8-インバ-薄膜の強磁性共鳴
- 鉄ニッケル系インバー薄膜の強磁性共鳴と電気的性質
- 13a-W-3 インバー薄膜の磁性
- 25a-T-1 Ag系金属多層膜の熱伝導
- SCRチョッパによって電流瞬時値制御される直流直巻電動機の過渡応答の解析
- 水素化非晶質Cuド-ピングSiC薄膜の物性と応用
- 基板バイアスを用いた電子ビーム蒸着法によるセレン化ガリウム(GaSe)薄膜の作製
- 電子ビーム蒸着法による層状性GaS薄膜作製
- 電子ビーム蒸着法による層状性GaSe薄膜作製
- 磁性不純物同時蒸着法によるZnSe薄膜の電気伝導
- RFマグネトロンスパッタリング法によるITO導電性薄膜の作製と基礎物性
- RIEを用いた光学サブミクロンリソグラフィ
- 非晶質半導体の電気特性
- センサ-と化合物半導体機能性材料 (『技術懇談会』平成7年度第1回懇談会特別講演・研究紹介概要)
- 電子ビーム蒸着法による層状性GaS薄膜作製
- 電子ビーム蒸着法による層状性GaSe薄膜作製
- 化学蒸着 (特集 高機能を付与する成膜技術最前線) -- (プロセス技術編)
- MIS構造Al-Al_2O_3-GaSのV-I特性
- RFスパッタリングによるGa_2S_薄膜の基礎特性
- RFスパッタリングによるSiC薄膜の電気的性質
- エチレングリコール溶液中における単結晶シリコン陽極酸化の電解液温度の影響
- 電流遮断法による単結晶シリコン陽極酸化の解析
- CVD 法による機能性材料(材料表面機能化とその材料特性)
- 非晶質薄膜の磁性-7-インバ-効果と表面磁性
- 鉄ニッケル系インバー薄膜の組成解析
- 電流遮断法を応用したエチレングリコール中の水素化アモルファスシリコン陽極酸化の解析
- 大気中-針対平板電極における直流コロナ放電音の周波数分析
- コロナ放電音の周波数分析
- Ga_ In_As/P^+-InPのショットキー接触
- 真空蒸着法による酸化インジュウム薄膜の熱処理過程
- 瞬時値制御法による直流直巻電動機の速度制御
- 東京高専の視聴覚室における残響時間の測定結果について
- シリコンオイルの電気特性(2)
- シリコンオイルの電気特性(1)
- 界面インピーダンス法による銅とはんだの接合界面評価
- 界面インピーダンス法による銅とはんだの接合界面評価
- 層状化合物半導体の作製と評価
- 東京工業高等専門学校
- Pulsed field effect of SiC thin film by RF magnetron sputtering.