大山 昌憲 | 東京高専
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概要
関連著者
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大山 昌憲
東京高専
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大山 昌憲
東京工業高等専門学校
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大山 昌憲
(株)サンバック
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伊藤 浩
東京工業高等専門学校電気工学科
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玉田 耕治
東京高専SPHERE TOKYOプロジェクトチーム
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今野 正樹
都立科学技術大学
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今野 正樹
都立科技大
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今野 正樹
東京都科技大
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加藤 牧夫
東京工専
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加藤 牧夫
東京工業高等専門学校
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大山 昌憲
国立東京工業高等専門学校電気工学科
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竹内 学
茨城大学
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今野 宏
横浜国大工
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今野 宏
横浜国大物理
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須原 啓一
東京工業高等専門学校電気工学科
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常山 靖
ジェコー
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今野 正樹
東京都工科短大
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伊藤 浩
国立東京工業高等専門学校電気工学科
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須原 啓一
東京工業高等専門学校
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山本 良一
東大先端研
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竹内 学
茨城大学 工学部
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佐藤 有紀
名古屋大学 工学部
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高橋 三男
東京工業高等専門学校
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福地 充
慶大理工
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大橋 一利
玉川大工
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大橋 芳子
慶大理工
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大橋 一利
玉川大工、慶大理工
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大山 昌憲
東京工専
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伊東 栄二
ジェコー
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玉田 耕治
東京工業高等専門学校
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今野 正樹
東京都立工科短大
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柚賀 正光
Graduate School Of Science And Engineering Ibaraki University
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伊藤 浩
東京工業高等専門学校
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伊藤 栄二
ジェコー(株)
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波多野 祐一
ジェコー(株)
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山口 明
東大・生研
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興戸 正純
名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻材料工学分野
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山本 良一
広大総合科
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近藤 昇一
東理大・理
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高橋 三男
東京高専
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三橋 武文
無機材研
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竹内 学
茨城大学工学部
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徐 義孝
東大生産研
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藤田 安彦
東京都科技大 大学院工学研究科
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山口 明
東大先端研
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小野 勇
東理大・理
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三田 茂
東京理科大学・理
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小野 勇
東理大理学部
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近藤 昇一
東理大理学部
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長谷川 和也
東理大理
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三田 茂
東理大理
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三橋 武文
無機材質研究所
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柚賀 正光
東京工業高等専門学校
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高野 幹男
東京芝浦電気
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梅沢 朋一
慶大理工
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松村 茂
慶大理工
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三橋 武文
物質・材料研究機構物質研究所
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三橋 武文
無機材質研究所 第7研究グループ
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三橋 武文
科学技術庁 無機材質研究所
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三橋 武文
物質・材料研究機構
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吉岡 学洋
東京工業高等専門学校
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竹内 舞
東京工業高等専門学校
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藤田 安彦
東京都立科学技術大学
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松田 正平
粟村製作所
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徐 義孝
東大先端研
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屠 耿
東大先端研
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貝塚 健志
東大先端研
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原田 好啓
日立製作所
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今野 宏
横浜国大 物理
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今野 宏
横浜国立大
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今野 正樹
都立工科短大
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興戸 正純
名古屋大学大学院工学研究科
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屠 耿
東大生研
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常山 靖
ジェコー(株)
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大山 昌憲
Department of Electrical Engineering,Tokyo National College of Technology
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竹内 学
Department of Electrical and Electronic Engineering,Ibaraki University
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柚賀 正光
茨城大学 大学院理工学研究科
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興戸 正純
名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻
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下山 博行
東京工業高等専門学校
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興戸 正純
名古屋大学 大学院工学研究科
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大山 昌憲
(株)さがみはら産業創造センター
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佐藤 有紀
(株)さがみはら産業創造センター
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興戸 正純
名古屋大学 エコトピア科学研究所
著作論文
- 高周波マグネトロンスパッタリング法により作製した結晶性GaTe薄膜の膜構造と光吸収スペクトル
- 電子ビーム蒸着法により石英ガラス上に作製した GaSe の薄膜成長と光学的性質
- 3B17 STMによる液晶分子の配向観察
- 3a-A3-4 RFマグネトロンスパッタリング法によるSiC薄膜の熱的性質
- 3a-A3-3 SiC薄膜の電気的特性への不純物および粒界の影響
- エチレングリコール溶液中におけるシリコン陽極酸化膜のX線光電子分光法による解析
- 高周波マグネトロンスパッタリング法により作製した結晶性GaTe薄膜の膜構造と光吸収スペクトル
- 化合物半導体薄膜の低温結晶成長技術
- 28a-K-1 コバルト/貴金属系多層膜の輸送的性質
- 非晶質薄膜の磁性-8-インバ-薄膜の強磁性共鳴
- 鉄ニッケル系インバー薄膜の強磁性共鳴と電気的性質
- 13a-W-3 インバー薄膜の磁性
- 25a-T-1 Ag系金属多層膜の熱伝導
- SCRチョッパによって電流瞬時値制御される直流直巻電動機の過渡応答の解析
- 水素化非晶質Cuド-ピングSiC薄膜の物性と応用
- 基板バイアスを用いた電子ビーム蒸着法によるセレン化ガリウム(GaSe)薄膜の作製
- 磁性不純物同時蒸着法によるZnSe薄膜の電気伝導
- RFマグネトロンスパッタリング法によるITO導電性薄膜の作製と基礎物性
- RIEを用いた光学サブミクロンリソグラフィ
- 非晶質半導体の電気特性
- センサ-と化合物半導体機能性材料 (『技術懇談会』平成7年度第1回懇談会特別講演・研究紹介概要)
- 電子ビーム蒸着法による層状性GaS薄膜作製
- 電子ビーム蒸着法による層状性GaSe薄膜作製
- 化学蒸着 (特集 高機能を付与する成膜技術最前線) -- (プロセス技術編)
- MIS構造Al-Al_2O_3-GaSのV-I特性
- RFスパッタリングによるGa_2S_薄膜の基礎特性
- RFスパッタリングによるSiC薄膜の電気的性質
- エチレングリコール溶液中における単結晶シリコン陽極酸化の電解液温度の影響
- 電流遮断法による単結晶シリコン陽極酸化の解析
- CVD 法による機能性材料(材料表面機能化とその材料特性)
- 非晶質薄膜の磁性-7-インバ-効果と表面磁性
- 鉄ニッケル系インバー薄膜の組成解析
- 大気中-針対平板電極における直流コロナ放電音の周波数分析
- コロナ放電音の周波数分析
- Ga_ In_As/P^+-InPのショットキー接触
- 真空蒸着法による酸化インジュウム薄膜の熱処理過程
- 瞬時値制御法による直流直巻電動機の速度制御
- 東京高専の視聴覚室における残響時間の測定結果について
- シリコンオイルの電気特性(2)
- 界面インピーダンス法による銅とはんだの接合界面評価
- 界面インピーダンス法による銅とはんだの接合界面評価