クラスタービーム法で作製したテトラゴナルGe超微粒子の光物性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Geナノ構造をクラスタービーム蒸着法により室温及び液体窒素温度の基板に堆積させた。堆積されたGe薄膜の結晶構造はバルクGeに見られるダイヤモンド構造ではなくテトラゴナル構造であった。そのようなGeの結晶構造の相転移は理論的にはGeの粒子径が4nm 以下になると観察されると予想されるが、透過型電子顕微鏡(TEM)観察により得られたサイズと一致することが確認された。さらに液体窒素温度で堆積したGe薄膜は、光酸化、青色発光といったバルクGeとは異なる特異な光物性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-04-25
著者
関連論文
- Si超微粒子を用いたELデバイスからの発光特性の改善
- ナノクリスタルSiの形成とESR・発光評価
- SiO_2膜中のSiナノ結晶成長の高分解能その場観察
- イオンビームアシスト蒸着法によるSiN_x膜の製作
- 非晶質炭素薄膜の電気伝導
- 非晶質炭素-金属界面の電気的性質及びその機能素子への応用
- InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- バラスト抵抗用Ni微粒子混合Si_3N_4薄膜の作製と評価
- SiドープSiO2多層膜を用いた光共振器の作製とその光学的評価
- SiドープSiO2多層膜を用いた光共振器の作製とその光学的評価
- スッパタ法によるSi添加SiO_2薄膜の可視光発光
- 30a-RB-8 Pt-SiO_2グラニュラー膜の金属-非金属転移と電気抵抗
- PC-1-5 大学におけるマイクロ波半導体回路教育 : プロセス・デバイス・回路・システム統合化の視点からのアプローチ
- C-10-5 階段状ドーピングプロファイルによるバラクターダイオードの高性能化(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- KC-1-3 電気通信大学における起実家精神涵養への取組について
- KC-1-3 電気通信大学における起業家精神涵養への取組について
- クラスタービーム法で作製したテトラゴナルGe超微粒子の光物性
- IV族半導体超微粒子の構造と発光
- シリコン微粒子の可視領域発光
- 半導体による光電気化学的エネルギー変換の最近の進展
- なぜ外国へ渡ったか 米国での17年間
- 非晶質炭素-金属界面の電気的性質及びその機能素子への応用
- 非晶質炭素のメモリ・スイッチング現象
- RFスパッタ法によるカーボン膜の非線型伝導
- 大学における起業家精神涵養教育の課題(大学におけるカリキュラム改革等について)
- ベンチャー・ビジネス・ラボラトリーの教育的使命