光音響法によるGaAsのSiイオン打ち込み層の熱伝導率の測定
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概要
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光音響法を応用して半導体基板に密着した層の熱伝導率を測定する方法を報告する。この方法をGaAs基板にSiイオンを打ち込みをした層の熱伝導率の測定に適用し、試料のアニール温度に対する熱伝導率の変化を測定した。その結果500[℃]以上の温度で急激に変化をし、800[℃]の温度で基板のGaAsの値まで上昇した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-03
著者
-
小林 武
神奈川工科大学電気電子工学科
-
高畠 信也
神奈川工科大学電気電子工学科
-
和泉 富雄
東海大学総合科学技術研究所
-
和泉 富雄
東海大学
-
桑畑 周司
東海大学
-
桑畑 周司
東海大・教養
-
高畠 信也
神奈川工科大
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