イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性
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概要
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光音響法を応用して半導体基板に密着した層の熱伝導率を測定する方法を報告する。この方法をSi基板にSiイオン打ち込みをした試料の結晶破壊層の熱伝導率測定に適用し, アニール温度に対する熱伝導率の変化を測定した。500℃以上のアニールで熱伝導率の回復が観測された。またESR信号と比較した結果, アニール温度に対するそれぞれの変化の間に相関が観測された。
- 1999-07-09
著者
-
小林 武
神奈川工科大学電気電子工学科
-
高畠 信也
神奈川工科大学電気電子工学科
-
和泉 富雄
東海大学工学部
-
庄 善之
東海大学電子情報学部電気電子工学科
-
和泉 富雄
東海大学総合科学技術研究所
-
和泉 富雄
東海大学
-
庄 善之
電気通信大学
-
高畠 信也
神奈川工科大
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