熱フィラメントCVD法で堆積した : ダイヤモンド薄膜の構造と二次電子放出係数
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-05-01
著者
-
荒井 俊彦
電気電子情報工学科
-
三栖 貴行
神奈川工科大学ホームエレクトロニクス開発学科
-
荒井 俊彦
神奈川工科大
-
後藤 みき
電気電子情報工学科
-
三栖 貴行
神奈川工科大学
-
後藤 みき
神奈川工科大
-
高畠 信也
神奈川工科大
-
三栖 貴行
神奈川工科大
-
山口 聡
株式会社 丸互
-
高畠 信也
神奈川工科大学
-
村上 雅彦
神奈川工科大学
-
高畠 信也
神奈川工科大学創造工学部ホームエレクトロニクス開発学科
関連論文
- CVDダイヤモンド電極の放電特性
- 10-104 FD活動における新たな取り組み : 分野別検討委員会(口頭発表論文,(17)ファカルティ・ディベロップメント)
- 9-105 計画・実行・評価サイクルによるグループプロジェクト研究の実践((11)ものつくり教育-I,口頭発表論文)
- 7-110 多様な企業連携型プログラムによる学生のキャリア力の育成((20)産学連携教育-II,口頭発表論文)
- 6-324 家電製品を切り口とした体験型学習カリキュラムの構築(口頭発表論文,オーガナイズドセッション「イノベーションを支える工学教育」)
- 光音響法によるSiイオンを注入したシリコン基板の熱伝導率とアニール特性の研究
- イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性
- イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性
- イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性
- イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性
- 光音響法を用いた熱伝導率を通しての半導体薄膜の特性評価
- US2000-27 / EMD2000-23 / CPM2000-38 / OME2000-33 ダイヤモンド薄膜の熱特性画像
- US2000-27 / EMD2000-23 / CPM2000-38 / OME2000-33 ダイヤモンド薄膜の熱特性画像
- US2000-27 / EMD2000-23 / CPM2000-38 / OME2000-33 ダイヤモンド薄膜の熱特性画像
- 光音響法によるGaAsのSiイオン打ち込み層の熱伝導率の測定
- 光音響法によるGaAsのSiイオン打ち込み層の熱伝導率の測定
- 光音響法によるGaAsのSiイオン打ち込み層の熱伝導率の測定
- 光音響法によるGaAsのSiイオン打ち込み層の熱伝導率の測定
- MgO電極を用いたCVDダイヤモンドの反応性イオンエッチング
- 液晶バックライト用電極としてのダイヤモンド膜の検討
- 高周波直流パルス励起におけるLCDバックライト用蛍光ランプの発光特性
- 119.細管冷陰極ランプにおける電子温度のAr濃度特性((9)光関連材料・デバイス)
- O_2/CF_4プラズマによるダイヤモンドエッチングとプラズマパラメータ
- 液晶バックライト用細管ランプ中の粒子密度
- CF_4プラズマにおけるCF_2ラジカルに及ぼす壁温度加熱の影響
- O_2/CF_4プラズマ中のCVDダイヤモンド薄膜の反応性イオンエッチンング
- P-2. 液晶バックライト用Ar-Hg放電中のHg粒子密度のAr圧力依存性
- 液晶バックライト用水銀ランプのプラズマ諸量
- Influence of Wall Heating on CF2 Radical in CF4 Hollow Cathode Discharge Plasma (学外発表論文) -- (第3プロジェクト〔複合インテリジェント集積素子の研究開発〕関係)
- 120. 液晶バックライト用Ar-Hg放電中のUV発光強度((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- ホローカソード直流CF_4プラズマ中のCF_3, CF_2ラジカル密度計測
- ホローカソードCF_4プラズマ中のCF_3CF_2ラジカル測定
- P8. 液晶バックライト用低圧Ar-Hg放電中におけるプラズマ諸量のAr圧力依存性
- 11. 液晶バックライト用水銀ランプ中のプラズマパラメータと粒子密度
- 液晶バックライト用低圧Ar−Hgプラズマ中の電子密度およびイオン密度
- 細管Ar-KrレーザープラズマにおけるAr（II）及びKr（II）線の発光強度
- 高電圧ホローカソード放電の動作電圧に及ぼす光電子放出の影響
- レーザー誘起蛍光法を用いたNeプラズマ中のNe準安定原子の拡散係数の測定
- 光音響法を用いたCVDダイヤモンド薄膜の熱伝導率の測定
- 光音響分光法による薄膜試料の熱拡散率の測定法
- 光音響分光法による薄膜試料の熱拡散率の測定法
- 光音響分光法による薄膜試料の熱拡散率の測定法
- 光音響分光法による薄膜試料の熱拡散率の測定法
- 9-330 電気・電子工学分野における新しい教育体験型プログラムの導入 : 神奈川工科大学電気電子情報工学科のものつくり教育への挑戦((11)ものつくり教育-V,口頭発表論文)
- 基板に密着した薄膜の熱拡散率の測定法
- 励起用N_2レーザの製作
- プレーナ型Metal-Semiconductor-Metal構造における空乏層の光音響信号測定
- 半導体プロセス用CF4/H2プラズマ中のCFラジカルの挙動
- スパッタ法によるMgO薄膜の作製と放電特性
- 液晶バックライト用電極としてのMgOの二次電子放出特性(蛍光ランプ用電極と技術の現状)
- 液晶バックライト用ランプとしての電極材料に関する研究(学位論文要旨)
- 光源・回路-42 液晶バックライト用電極のためのMgOにおける二次電子放射特性
- 異なる電極構造のホロ-カソ-ドHe-Cd+レ-ザ-放電中の最適Cd原子密度
- 陽光柱希ガス-Hg放電(直流けい光ランプ)におけるHg(I)253.7nm線強度
- 陽光柱型金属イオンレーザの出力特性とプラズマパラメータ
- 液晶バックライト用低圧Ar-Hg放電中の粒子密度とプラズマパラメータ
- 細管冷陰極Ne放電中の放電開始電圧に及ぼす励起周波数の影響
- 8-103 企業連携教育学習プログラムの開発と実践((20)産学連携教育-I,口頭発表論文)
- P-19 目的指向によるものづくり体験教育型プログラムの導入と課題 : 神奈川工科大学電気電子情報工学科のものつくり教育への挑戦((11)ものつくり教育,ポスター発表)
- 6-327 LEGO教育ツールを活用した工学系低学年教育の実践((07)教材の開発-III,口頭発表論文)
- 細管冷陰極Ne放電中の放電開始電圧に及ぼす励起周波数の影響
- 熱フィラメントCVD法で堆積した : ダイヤモンド薄膜の構造と二次電子放出係数
- プレーナ型 Metal-Semiconductor-Metal 構造における空乏層の光音響信号測定
- 企業連携学習を組み入れた授業と社会人基礎力の育成
- Photoacoustic Signals of Depletion Layer Spread beneath Metal Electrode in Metal/Semiconductor Structure
- 4-227 卒業研究をより活性化するための新しい取り組み((04)工学教育の個性化・活性化-V,口頭発表)
- 7-334 就業力を伸ばす企業連携学習カリキュラムについて((17)産学連携教育-II,口頭発表)
- 3-231 環境対策技術をテーマとした高大連携学習教材の開発と教育実践((05)教材の開発-I,口頭発表)
- 3-334 理数基礎が理解でき・活用できるSTEM的学習教材の開発((05)教材の開発-II,口頭発表)
- 1-221 学習内容を繋げたユニットプログラムの実践(オーガナイズドセッション:大学全入時代の工学教育-II)
- 3-107 工学系学生向けのマーケティングや企画提案を中心とした企業連携学習 : 「売れる」モノづくりに関する実践的学習((17)産学連携教育-II/(06)工学教育に関するGood Practice(文部科学省GP採択案件)-I)
- 2-110 工学基礎教育におけるキャリアポートフォリオの活用((08)リメディアル教育(補習教育)・導入教育-II/(11)教育ソフトウェア)
- Metal/Semiconductor 構造における金属電極直下に広がる空乏層の光音響信号