ホローカソード直流CF_4プラズマ中のCF_3, CF_2ラジカル密度計測
スポンサーリンク
概要
著者
-
藤岡 寛之
神奈川工科大学電気電子工学科
-
荒井 俊彦
神奈川工科大学工学部
-
荒井 俊彦
電気電子情報工学科
-
荒井 俊彦
神奈川工科大
-
後藤 みき
電気電子情報工学科
-
後藤 みき
神奈川工科大学
-
愛敬 仁
神奈川工科大学大学院工学研究科
-
真篠 聡一
神奈川工科大学電気電子工学科
-
後藤 みき
神奈川工科大
関連論文
- 10-104 FD活動における新たな取り組み : 分野別検討委員会(口頭発表論文,(17)ファカルティ・ディベロップメント)
- MgO電極を用いたCVDダイヤモンドの反応性イオンエッチング
- 液晶バックライト用電極としてのダイヤモンド膜の検討
- 高周波直流パルス励起におけるLCDバックライト用蛍光ランプの発光特性
- 119.細管冷陰極ランプにおける電子温度のAr濃度特性((9)光関連材料・デバイス)
- O_2/CF_4プラズマによるダイヤモンドエッチングとプラズマパラメータ
- 液晶バックライト用細管ランプ中の粒子密度
- CF_4プラズマにおけるCF_2ラジカルに及ぼす壁温度加熱の影響
- O_2/CF_4プラズマ中のCVDダイヤモンド薄膜の反応性イオンエッチンング
- P-2. 液晶バックライト用Ar-Hg放電中のHg粒子密度のAr圧力依存性
- 液晶バックライト用水銀ランプのプラズマ諸量
- Influence of Wall Heating on CF2 Radical in CF4 Hollow Cathode Discharge Plasma (学外発表論文) -- (第3プロジェクト〔複合インテリジェント集積素子の研究開発〕関係)
- 120. 液晶バックライト用Ar-Hg放電中のUV発光強度((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- ホローカソード直流CF_4プラズマ中のCF_3, CF_2ラジカル密度計測
- ホローカソードCF_4プラズマ中のCF_3CF_2ラジカル測定
- P8. 液晶バックライト用低圧Ar-Hg放電中におけるプラズマ諸量のAr圧力依存性
- 11. 液晶バックライト用水銀ランプ中のプラズマパラメータと粒子密度
- 液晶バックライト用低圧Ar−Hgプラズマ中の電子密度およびイオン密度
- 細管Ar-KrレーザープラズマにおけるAr（II）及びKr（II）線の発光強度
- 高電圧ホローカソード放電の動作電圧に及ぼす光電子放出の影響
- レーザー誘起蛍光法を用いたNeプラズマ中のNe準安定原子の拡散係数の測定
- 9-330 電気・電子工学分野における新しい教育体験型プログラムの導入 : 神奈川工科大学電気電子情報工学科のものつくり教育への挑戦((11)ものつくり教育-V,口頭発表論文)
- 励起用N_2レーザの製作
- プレーナ型Metal-Semiconductor-Metal構造における空乏層の光音響信号測定
- 2a-Q-10 ホローカソードパルス放電の動作電圧に及ぼすUV光の影響
- 半導体プロセス用CF4/H2プラズマ中のCFラジカルの挙動
- 液晶バックライト用電極としてのMgOの二次電子放出特性(蛍光ランプ用電極と技術の現状)
- 異なる電極構造のホロ-カソ-ドHe-Cd+レ-ザ-放電中の最適Cd原子密度
- 陽光柱希ガス-Hg放電(直流けい光ランプ)におけるHg(I)253.7nm線強度
- 陽光柱型金属イオンレーザの出力特性とプラズマパラメータ
- 液晶バックライト用低圧Ar-Hg放電中の粒子密度とプラズマパラメータ
- 細管冷陰極Ne放電中の放電開始電圧に及ぼす励起周波数の影響
- 6. 分野別報告 : 6 Displays
- P-19 目的指向によるものづくり体験教育型プログラムの導入と課題 : 神奈川工科大学電気電子情報工学科のものつくり教育への挑戦((11)ものつくり教育,ポスター発表)
- 細管冷陰極Ne放電中の放電開始電圧に及ぼす励起周波数の影響
- 熱フィラメントCVD法で堆積した : ダイヤモンド薄膜の構造と二次電子放出係数
- プレーナ型 Metal-Semiconductor-Metal 構造における空乏層の光音響信号測定
- Photoacoustic Signals of Depletion Layer Spread beneath Metal Electrode in Metal/Semiconductor Structure
- Metal/Semiconductor 構造における金属電極直下に広がる空乏層の光音響信号