大塚 エイ三 | 阪大 教養
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概要
関連著者
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大塚 エイ三
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著作論文
- 3p-H-6 n-InSbのパルス電場変調サイクロトロン共鳴
- 1a-N-7 H_2Oレーザー励起によるサイクロトロン共鳴
- 5a-G-8 転位と再結合とサイクロトロン共鳴
- 12a-F-10 n-InSbの不純物伝導 : 補償度及びドナー濃度依存性
- 3a-R-4 n-InSbの不純物帯伝導
- 13a-W-8 n-InSbのmagnetic freeze-outと不純物伝導
- 4p-KL-9 n-InSbのfreege-out効果と不純物伝導
- 23a-G-10 n-InSbのFreeze-Out効果と不純物伝導
- 5p-M-5 n-InSbのFreeze-out効果と不純物伝導
- 5p-U-12 n-InSbにおける強磁場中のホットエレクトロン
- 12p-F-4 n-InSbのホットエレクトロン・サイクトロン発光
- 2p-R-2 光励起遠赤外レーザーによるn-InSbの磁気光効果
- 22a-G-9 n-InSbにおけるサイクロトロン発光
- 6a-K-3 n型及びp型ゲルマニウムにおける電子 正孔の長い寿命
- 4p-U-10 Geにおけるアクセプター及び励起子の磁場中のエネルギー準位
- 11p-F-12 電子・正孔プラズマ及びエクシトンによる遠赤外光吸収
- 4p-R-2 Geの電子-正孔液滴によるマグネットプラズマ吸収
- K. Seeger : Semiconductor Physics, Springer-Verlag, Wien and New York, 1973, xv+514ページ, 24.5×17.5cm, 8,400円.
- 13a-W-14 励起子及び電子・正孔液滴による遠赤外光の透過
- 13a-W-13 電子,励起子,液滴の拡散
- 4p-KL-7 H_2Oレーザーによるn-Geの磁気光吸収
- 5p-KD-12 電子-正孔液滴に対する一軸性ストレス効果
- 5p-KD-11 Ge中のE-H-Dによるマグネトプラズマ吸収
- 24a-G-4 Geの遠赤外光による光吸収
- 5a-G-7 補償されたゲルマニウムのサイクロトロン共鳴
- Ge-Si合金のHall易動度(p-型) : 半導体 : 輸送
- 3a-M-13 電子-正孔液滴中の磁気プラズマ共鳴
- 3a-M-12 高純度シリコンにおける電子-励起子相互作用
- 3a-M-11 励起子の"衣"をきた電子・正孔のサイクロトロン共鳴?
- 3a-H-3 サイクロトロン共鳴における励起子効果
- 22a-G-8 エクシトニック・ポーラロン
- F.Seitz and D.Turnbull 編: Solid State Physics, Vol. 20, Academic Press, New York, 1967, 427頁, 16×23.5cm, 7,800円. : 2. R.W. Keyes: Electronic Effects in the Elastic Properties of Semiconductors, 37〜90頁