片山 良史 | 光技研:(現)フェムト秒テクノロジー
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概要
関連著者
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片山 良史
光技研:(現)フェムト秒テクノロジー
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白木 靖寛
日立中研
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白木 靖寛
日立
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葛西 淳一
日立中研
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片山 良史
日立中研
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片山 良史
光技研
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梶川 靖友
光技研
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田中 昭二
京大工
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樋口 克彦
日立中研
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村山 良昌
日立基礎研
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神谷 武志
情報通信研究機構
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田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
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田中 昭二
東大・工・物理工学
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田中 昭二
東大工物工
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片山 良史
東大工物工
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神谷 武志
東大工物工
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白木 靖寛
東大工物工
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片山 良史
東大・工・物理工学
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田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
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田中 滋久
日立中研
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井倉 康雄
日立中研
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三島 友義
日立中央研究所
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岡崎 信次
日立中研
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岡崎 信次
株式会社日立製作所 中央研究所
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三島 友義
日立中研
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梶川 靖友
光技研つくば研究所
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片山 良史
光技研つくば研究所
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白木 靖寛
東大・工・物工
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村山 良昌
基礎研
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森岡 誠
日立中研
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沢田 安史
日立中研
著作論文
- n型InSbの負の磁気抵抗効果 : 半導体 : 不純物伝導
- パターン基板上に自己形成した三次元閉じ込めGaAs構造に関するフォトルミネッセンス
- 3p-F-16 極微細MOSFETのしきい電圧付近の電気伝導異常
- InSbの抵抗異常とスピン散乱 : 半導体(輸送)
- 3a-F-14 量子井戸のフォトルミネッセンスの励起光強度依存性
- 原子間オージェ電子分光による固体表面および界面の研究
- 30a-M-4 禁制帯幅以下励起でのGaAsのフォトルミネッセンス II(Selective Pair Luminescence)
- 30a-M-3 禁制帯幅以下励起でのGaAsのフォトルミネッセンス I(二正孔遷移と二電子遷移)
- 28a-ZH-6 (001)及び(111)量子井戸における1s-2s励起子分裂エネルギー