28a-ZH-6 (001)及び(111)量子井戸における1s-2s励起子分裂エネルギー

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1992-09-14

著者

• 葛西 淳一

  日立中研

• 梶川 靖友

  光技研

• 梶川 靖友

  光技研つくば研究所

• 片山 良史

  光技研つくば研究所

• 片山 良史

  光技研:(現)フェムト秒テクノロジー

関連論文

• n型InSbの負の磁気抵抗効果 : 半導体 : 不純物伝導
• パターン基板上に自己形成した三次元閉じ込めGaAs構造に関するフォトルミネッセンス
• 3p-F-16 極微細MOSFETのしきい電圧付近の電気伝導異常
• 30p-Z-4 GaAs-AlGaAs[111]方向量子井戸の光電流スペクトル
• 31a-TF-2 GaAsMBE成長におけるGa原子の表面拡張
• InSbの抵抗異常とスピン散乱 : 半導体(輸送)
• 3a-F-14 量子井戸のフォトルミネッセンスの励起光強度依存性
• 原子間オージェ電子分光による固体表面および界面の研究
• 28p-C-14 (110)量子井戸の偏光特性から見積ったLuttinger parameterの異方性
• 29a-k-9 量子井戸の偏光特性におけるスピン軌道相互作用の影響
• 30a-M-4 禁制帯幅以下励起でのGaAsのフォトルミネッセンス II(Selective Pair Luminescence)
• 30a-M-3 禁制帯幅以下励起でのGaAsのフォトルミネッセンス I(二正孔遷移と二電子遷移)
• 28a-ZH-6 (001)及び(111)量子井戸における1s-2s励起子分裂エネルギー
• 28p-W-9 (110)量子井戸の準位反交差に伴う面内光学異方性の異常
• 2a-D-1 量子井戸からの発光と障壁中の有効質量
• 29a-FC-8 量子井戸発光の励起光強度依存性にみられる井戸幅に依る異常な変化(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク