30p-Z-4 GaAs-AlGaAs[111]方向量子井戸の光電流スペクトル
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-03-16
著者
-
杉山 直治
光技研つくば研究所
-
梶川 靖友
光技研
-
片山 良史
光技術研究開発株式会社つくば研究所
-
井須 俊郎
三菱電機 中研
-
梶川 靖友
光技研つくば研究所
-
畑 雅幸
光技研つくば研究所
-
井須 俊郎
光技研つくば研究所
-
片山 良史
光技研つくば研究所
-
畑 雅幸
三洋電機株式会社 フロンティアデバイス研究所
-
井須 俊郎
三菱電機株式会社中央研究所
-
畑 雅幸
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
関連論文
- 内部電場のナノ空間構造による巨大非線形応答
- 4a-PS-19 同軸型低速イオン散乱分光装置を用いたGaAsの表面観察
- III-V族化合物半導体成長のμ-RHEED実時間観測
- 29p-C-3 μ-RHEED法によるGaAs成長表面の実時間観測
- 30p-Z-4 GaAs-AlGaAs[111]方向量子井戸の光電流スペクトル
- 31a-TF-2 GaAsMBE成長におけるGa原子の表面拡張
- 2p-RL-2 ERD法による水素の表面再結合係数の測定
- 30a-SA-8 反跳粒子検出法によるH,D検出の基礎実験
- 記録型次世代DVD用高出力青紫色レーザ
- 光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 28p-C-14 (110)量子井戸の偏光特性から見積ったLuttinger parameterの異方性
- 29a-k-9 量子井戸の偏光特性におけるスピン軌道相互作用の影響
- 30a-M-4 禁制帯幅以下励起でのGaAsのフォトルミネッセンス II(Selective Pair Luminescence)
- 30a-M-3 禁制帯幅以下励起でのGaAsのフォトルミネッセンス I(二正孔遷移と二電子遷移)
- 28a-ZH-6 (001)及び(111)量子井戸における1s-2s励起子分裂エネルギー
- 28p-W-9 (110)量子井戸の準位反交差に伴う面内光学異方性の異常
- 3次元光電子集積回路プロセス技術