4a-PS-19 同軸型低速イオン散乱分光装置を用いたGaAsの表面観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-09-12
著者
関連論文
- 4a-PS-19 同軸型低速イオン散乱分光装置を用いたGaAsの表面観察
- 30p-BPS-3 As雰囲気中で加熱クリーニングされたInP表面のSTM観察
- 30a-E-13 CAICISSによるAs_4圧下アニール(100)InP表面構造の解析
- 27p-ZN-8 In_X Ga_As/GaAs系で発生するミスフィット転位と貫通転位の性質
- 2p-G-11 ポーラロンの自由状態と自縄自縛状態間のポテンシャル障壁
- 2p-G-10 ポーラロンの相図物理学
- 30p-Z-4 GaAs-AlGaAs[111]方向量子井戸の光電流スペクトル
- 2p-RL-2 ERD法による水素の表面再結合係数の測定
- 30a-SA-8 反跳粒子検出法によるH,D検出の基礎実験