大西 和博 | (株)日立製作所

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概要

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• (株)日立製作所の論文著者

関連著者

• 大西 和博

  (株)日立製作所中央研究所

• 大西 和博

  (株)日立製作所

• 玉置 洋一

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 芝 健夫

  (株)日立製作所中央研究所

• 中村 徹

  法政大学工学部電気電子工学科

• 田辺 義和

  (株)日立製作所

• 花岡 裕子

  (株)日立製作所 中央研究所

• 尾内 享裕

  (株)日立製作所 中央研究所

• 菊池 俊之

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 橋本 尚

  (株)日立製作所 マイクロデバイス事業部

• 土屋 龍太

  (株)日立製作所中央研究所

• 島本 裕巳

  日立デバイス

• 大塚 文雄

  SELETE

• 山本 直樹

  (株)日立製作所中央研究所

• 尾内 享裕

  日立 中研

• 島本 裕巳

  ルネサス北日本セミコンダクタ

• 花岡 裕子

  (株)日立製作所

• 三谷 真一郎

  (株)日立製作所

• 長浜 寿明

  (株)日立製作所

• 島本 裕己

  日立デバイスエンジニアリング

• 山内 豪

  (株)日立超LSIシステムズ

• 大塚 文雄

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 満田 勝弘

  (株)日立製作所半導体事業部

• 長谷 昌俊

  法政大学工学部

• 川原 尊之

  (株)日立製作所中央研究所

• 中村 徹

  法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

• 山本 直樹

  (株)日立製作所

• 中村 徹

  法政大学工学部

• 菊池 俊之

  (株)日立国際電気

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著作論文

• 擬似2層構造を有する高精度多結晶シリコン抵抗の提案と実験的検討(集積エレクトロニクス)
• WH酸化技術による低抵抗ゲートMOSデバイスの特性改善
• 100nm世代のSoCプラットフォームに向けた丈高速および低電力/RF用途対応50nmCMOS技術

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