10MB/s多値高速書込み実現のための1Gb AG-AND型フラッシュメモリセルデバイス技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
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概要
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本研究は、多値フラッシュで10 MB/sの書込み速度を達成するためのメモリセルデバイス技術の研究である.10 MB/sの書込み速度を達成するためには、個々のメモリセルの書き込み速度の向上(2μs)、書込み速度ばらつきの低減(1.2V)、浮遊ゲート間容量結合によるメモリセル閾値シフトの低減(0.15 V)、の3つ全てが必要である.これら3つの要求は、ソース・ドレイン拡散層と自己整合的に分離形成されるパンチスルーストッパー、U字型浮遊ゲートをはじめとするAG-AND型フラッシュメモリのセルデバイス技術を用いることよって達成された.新技術適用の結果、多値フラッシュで10 MB/sの書込み速度を実現することに初めて成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-03
著者
-
笹子 佳孝
(株)日立製作所 中央研究所
-
笹子 佳孝
日立製作所中央研究所
-
倉田 英明
(株)日立製作所 中央研究所
-
有金 剛
(株)日立製作所中央研究所
-
小林 孝
(株)日立製作所中央研究所
-
久米 均
(株)日立製作所中央研究所
-
佐伯 俊一
日立デバイスエンジニアリング(株)
-
後藤 康
(株)日立製作所中央研究所
-
蒲原 史郎
(株)日立製作所半導体グループ
-
久米 均
日立製作所中央研究所
-
後藤 康
(株)日立製作所 中央研究所
-
倉田 英明
(株)日立製作所
-
有金 剛
日立 中研
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