90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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AG-AND型フラッシュメモリの書込み動作を表現するコンパクトモデルを提案する.同メモリでは高速書込みを実現するためにソースサイド注入書込み方式が採用されている.本モデルでは, ソースサイド注入の注入効率を決めるオフセット領域の電界を擬2次元モデルで計算することにより, 書込み動作の正確な回路シミュレーションを可能にする.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-19
著者
-
倉田 英明
(株)日立製作所 中央研究所
-
鳴海 俊一
ルネサステクノロジ
-
栄森 貴尚
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ
-
園田 賢一郎
株式会社ルネサステクノロジ
-
谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
-
大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
-
石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
-
栄森 貴尚
(株)ルネサステクノロジ
-
大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
-
谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
-
石川 清志
(株)ルネサステクノロジ
-
園田 賢一郎
(株)ルネサステクノロジ
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
鳴海 俊一
(株)ルネサステクノロジ
-
倉田 英明
(株)日立製作所
-
石川 清志
ルネサステクノロジ
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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