65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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本研究では、フル3Dプロセスシミュレーターによる応力計算と反転層のサブバンドを考慮したkp法にもとつくバンド計算からなるシステムを開発し、実際に65nmノードのデバイスの実測値と比較した。シミュレーション結果は実測と一致し、全応力テンソルを考慮したデバイス構造の最適化に有効である事が分かった
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-23
著者
-
林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
林 岳
(株)ルネサステクノロジ
-
内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
-
鎌倉 良成
大阪大学工学部
-
谷口 研二
大阪大学工学部
-
土屋 修
ルネサステクノロジ
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
-
佃 栄次
ルネサステクノロジ株式会社
-
高篠 裕行
ルネサステクノロジ株式会社
-
岡垣 健
ルネサステクノロジ株式会社
-
内田 哲也
ルネサステクノロジ株式会社
-
林 岳
ルネサステクノロジ株式会社
-
谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
-
永久 克己
ルネサステクノロジ株式会社
-
若原 祥史
ルネサステクノロジ株式会社
-
石川 清志
ルネサステクノロジ株式会社
-
井上 靖朗
ルネサステクノロジ株式会社
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
-
石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
-
岡垣 健
(株)ルネサステクノロジ
-
谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
-
高篠 裕行
(株)ルネサステクノロジ
-
佃 栄次
(株)ルネサステクノロジ
-
永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
-
若原 祥史
(株)ルネサステクノロジ
-
土屋 修
株式会社ルネサステクノロジ
-
谷口 研二
大阪大
-
Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
Taniguchi K
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
-
永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
-
石川 清志
ルネサステクノロジ
-
Taniguchi K
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
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