MOS素子の多数バレーバンド構造に基づくモンテカルロシミュレーション
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概要
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複数の伝導帯バレーを解析式で表現したバンドを用いた新しいモンテカルロ法を考案した.同シミュレータを用いて指数関数的に変化する電界中でのインパクトイオン化係数を求め,従来のインパクトイオン化係数モデルとの比較を行い,新しいイオン化係数が実際のデバイスシミュレータに対して有効であることが分かった.反転層中の電子を三次元的に取扱い,界面散乱のモデルとして界面に衝突した電子のある一定の割合が鏡面反射するものとしてMOSFETの反転層の移動度をシミュレーションした.実験結果との比較により,そのモデルが反転層中の電子の運転をかなり正確に再現していることが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-14
著者
-
谷口 研二
大阪大学工学部
-
浜口 智尋
大阪大学工学部
-
園田 賢一郎
大阪大学工学部電子工学科
-
國清 辰也
三菱電機
-
浜口 智尋
大阪大 工
-
山地 充
大阪大学工学部電子工学科
-
國清 辰也
三菱電機ULSI開発研究所
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