6H-(0001)SiC反転層内における電子移動度
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
6H-(0001)SiC MOSFETにおける電子移動度の実効電界依存性と温度依存性について述べる.電子の実効移動度を求めるためにソースとドレインのシリーズ抵抗の影響を除去する方法を述べる.得られたピーク移動度は42(cm^2/V・sec),室温での実効電界依存性は一定で,室温から305 (゜C)における温度依存性は弱い負の温度係数であった.これらの実験から得られた電子移動度の実効電界依存性と温度依存性に対し,二次元電子ガス(2DEG)と音響フォノンとの相互作用に基づいて計算した移動度と比較検討を行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-05
著者
関連論文
- 2a-J-6 超強磁場におけるII-VI族半導体のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果IV
- 3-16 超音波ドメイン注入法と共鳴ブリルアン散乱(一般講演)
- 半導体における共鳴ブリルアン散乱 : 新しい音波物性とその応用III(連続3回)
- 半導体における音響ドメイン注入法とその応用 : 新しい音波物性とその応用II(連続3回)
- 30p-M-8 n-Geの磁気フォノン共鳴3
- 28p-D-6 n-Geの磁気フォノン共鳴II
- 27a-M-9 n-Geのホットエレクトロン磁気フォノン共鳴
- 4a-E-7 強磁場におけるGeの磁気フォノン共鳴
- 4a-E-3 n-Siに於ける導電率のカオス的振動
- D-5 マグネトフォノン共鳴によるn-Siのインターバレーフォノンの測定(音波物性I)
- F-6 マグネトフォノン共鳴によるバンド端フォノンおよびインターバレーフォノンの測定(一般講演)
- 3p-C-9 (GaAs)_n/(AlAs)_n超格子のエネルギー帯構造の解析
- 26a-ZG-4 量子細線における光学フォノン散乱による電子移動度の計算
- SOI MOSFETにおける2次元電子ガスのフルバンド・モンテカルロ・シミュレーション
- SOI MOSFETにおける2次元電子ガスのフルバンド・モンテカルロ・シミュレーション
- 28p-G-12 超強磁場におけるII-VI族半導体のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果III
- 14a-K-15 超強磁場におけるII-VI族半導体のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果II
- テラヘルツ領域での高強度電磁波による量子物性工学の研究 (特集 プロジェクト研究)
- 6H-(0001)SiC反転層内における電子移動度
- 固体素子材料コンファレンス(SSDM'92)報告
- 応用物理への期待--大学vs企業 (特集:産官学のニュ-ウェ-ブ)
- 御子柴宣夫氏 1994年度IEEEUFFCS Achievement Award受賞
- インパクトイオン化の非局所性を考慮したn-MOSFETの基板電流モデル
- MOS素子の多数バレーバンド構造に基づくモンテカルロシミュレーション
- 単一電子トンネル現象を用いた電子デバイスの可能性
- 単一電子論理回路のシミュレーション
- 酸化膜中に捕獲された正孔の緩和現象
- 統合シミュレーションから見たプロセス シミュレーションの現状と課題
- 正孔捕獲断面析のLognormalな分布
- 半導体デバイスシミュレ-ション技術 (インテリジェント・マテリアル・プロセッシング)
- 半導体デバイスシミュレーション技術
- 27a-ZG-1 応力下でのSiの電界変調分光スペクトル
- B-3 In_xGa_As(x=0.53)における磁気フォノン共鳴(音波物性)
- P-4 n型InPにおける磁気フォノン共鳴(ポスター・セッション)
- 28p-C-13 TBQにおける電子 : 光学フォノン相互作用
- 28p-C-12 量子細線における磁気フォノン共鳴
- 5p-C-6 InGaAs/InAlAs単一ヘテロ構造における磁気フォノン共鳴
- 3a-C-9 InGaAs/InAlAsヘテロ構造における電子-光学フォノン相互作用
- 分布関数を用いたキャリヤ輸送シミュレ-タ
- 半導体プロセスデバイスシミュレ-ション (計算機による材料設計)
- 3a-A-11 n-InPにおけるマグネトフォノン共鳴II
- 高空間分解フォトルミネッセンス (マイクロキャラクタリゼ-ション-1-(技術ノ-ト))
- 総論 (超微細半導体シミュレ-ション技術--21世紀へ向けた限界への挑戦)
- 微細MOSFETのスケ-リング限界
- 1p-TE-5 シリコン酸化膜からの格子間原子の放出
- シリコン酸化膜の劣化メカニズム研究の動向
- HEMTの電子輸送とスイチッング速度 (高速電子デバイスのスイッチング速度の決定機構〔含 コメント〕)
- 微細半導体素子におけるホットエレクトロン現象
- 1p-N-3 半導体における磁気フォノンスペクトロスコピー
- 4a-WB-12 パルス強磁場中のn-Si,n-Geの磁気フォノン共鳴
- 企業の研究所に望む
- 国際交流
- 半導体研究の魅力とブレークスルー
- 陽極酸化法によるn形GaAsの転位密度の観察
- 陽極酸化法によりGaAs表面上に発生する"groove"の原因検討-1-
- 陽極酸化法によるGaAs表面荒れの結晶方向依存性
- 光照射陽極酸化法によるGaAs(ノンド-プ,n形)に形成された熱変換層の評価