インパクトイオン化の非局所性を考慮したn-MOSFETの基板電流モデル
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
MOSFETのドレイン近傍の電界が急峻に変化する領域でのインパクトイオン化係数を,インパクトイオン化に対する電界の非局所性を表す特性長を用いてモデル化した.特性長はMOSFETのゲート酸化膜厚とソース, ドレイン接合深さx_jの関数として決められる.このモデル式を用いてn-MOSFETの基板電流の解析式モデルを導き,擬2次元モデルで用いる特性長の理論式と実験式との違いが,インパクトイオン化に対する電界の非局所性に起因するものであることを明らかにした.さらに,このインパクトイオン化係数モデルをドリフトー拡散モデルのデバイスシミュレータに適用し,今回提案したインパクトイオン化係数モデルがドリフトー拡散モデルのデバイスシミュレータでインパクトイオン化を正確に計算するために有効であることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-14
著者
-
谷口 研二
大阪大学工学部
-
浜口 智尋
大阪大学工学部
-
園田 賢一郎
大阪大学工学部電子工学科
-
國清 辰也
三菱電機
-
浜口 智尋
大阪大 工
-
山地 充
大阪大学工学部電子工学科
-
國清 辰也
三菱電機ULSI開発研究所
関連論文
- 2a-J-6 超強磁場におけるII-VI族半導体のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果IV
- MD/EMC法による反転層移動度のロールオフ現象の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 空間的または時間的に一様でない系におけるトンネリングのシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 数値シミュレーションに基づく10nmチャネル素子の電気伝導機構に関する考察(半導体Si及び関連材料・評価)
- 3-16 超音波ドメイン注入法と共鳴ブリルアン散乱(一般講演)
- 半導体における共鳴ブリルアン散乱 : 新しい音波物性とその応用III(連続3回)
- 半導体における音響ドメイン注入法とその応用 : 新しい音波物性とその応用II(連続3回)
- パイプラインA/Dコンバータ用MDACの最適設計に関する考察
- C-12-46 差動型VCOを用いたPLLのジッタ特性に関する考察
- C-12-29 パイプラインA/Dコンバータの最適設計に関する考察
- 差動構成を用いたPLLの低ジッタ化
- PLL出力における50%デューティ補償回路の研究
- SA-2-10 CMOS Rail-to-Rail OPAMP
- CMOS Rail-to-Rail OPAMP
- シリコン中の{311}欠陥へのボロンの析出:第1原理計算に基づく検証
- 低温熱処理におけるボロンの初期異常拡散
- ボロンの過渡増速拡散とクラスタ形成の深さ依存性
- イオン注入損傷によるボロンの析出
- SOI-CMOSプロセスを用いたスパイラルインダクタの高周波特性の評価
- アクティブRC積分器の解析とフィードフォワード充電法の提案
- 同相除去比を強化した増幅器
- 可変利得増幅器の設計
- 連続サンプルコンパレータの解析と応用
- 30p-M-8 n-Geの磁気フォノン共鳴3
- 28p-D-6 n-Geの磁気フォノン共鳴II
- 27a-M-9 n-Geのホットエレクトロン磁気フォノン共鳴
- 4a-E-7 強磁場におけるGeの磁気フォノン共鳴
- 4a-E-3 n-Siに於ける導電率のカオス的振動
- 1MHz, 12bitMDACの設計に関する考察
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 大気圧プラズマ洗浄装置のICダメージ評価
- 大気圧プラズマ洗浄装置のICダメージ評価
- 大気圧プラズマ洗浄装置のICダメージ評価
- Column-Parallel ADC に用いる高精度, 小面積 D-Flip-Flop 回路
- D-5 マグネトフォノン共鳴によるn-Siのインターバレーフォノンの測定(音波物性I)
- F-6 マグネトフォノン共鳴によるバンド端フォノンおよびインターバレーフォノンの測定(一般講演)
- MD/EMC法による反転層移動度のロールオフ現象の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 空間的または時間的に一様でない系におけるトンネリングのシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3p-C-9 (GaAs)_n/(AlAs)_n超格子のエネルギー帯構造の解析
- SPM超微細酸化法を用いた単一電子デバイスの作製
- SA-2-8 VDECによる1.2μm 300MHz PLLの試作
- オンチップクロック生成PLLの低ジッタ・小面積化設計
- ダイナミック回路による低消費電力位相周波数比較器の検討
- 3モード制御による高速タイミング再生PLL
- 26a-ZG-4 量子細線における光学フォノン散乱による電子移動度の計算
- SOI MOSFETにおける2次元電子ガスのフルバンド・モンテカルロ・シミュレーション
- SOI MOSFETにおける2次元電子ガスのフルバンド・モンテカルロ・シミュレーション
- 28p-G-12 超強磁場におけるII-VI族半導体のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果III
- 14a-K-15 超強磁場におけるII-VI族半導体のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果II
- ゲート酸化膜の絶縁破壊メカニズム
- ゲート酸化膜の絶縁破壊メカニズム
- 6H-(0001)SiC反転層内における電子移動度
- 固体素子材料コンファレンス(SSDM'92)報告
- 高速PLL/DLLの技術動向
- タイミング再生用2モードDPLLの検討
- 擬ロック防止機能を有する高速引込みPLL
- 多段縦続接続したPLLの雑音特性に関する検討
- 周波数差検出器を用いた新方式高速引込みPLL
- 赤外分光エリプソメトリを用いたキャリヤ濃度分布評価アルゴリズム
- 赤外分光エリプソメトリを用いたキャリヤ濃度分布評価アルゴリズム
- 機能可変型DSPプロセッサ
- 機能可変型DSPプロセッサ
- 機能可変型DSPプロセッサ
- 御子柴宣夫氏 1994年度IEEEUFFCS Achievement Award受賞
- インパクトイオン化の非局所性を考慮したn-MOSFETの基板電流モデル
- MOS素子の多数バレーバンド構造に基づくモンテカルロシミュレーション
- 単一電子トンネル現象を用いた電子デバイスの可能性
- 単一電子論理回路のシミュレーション
- 酸化膜中に捕獲された正孔の緩和現象
- 統合シミュレーションから見たプロセス シミュレーションの現状と課題
- 正孔捕獲断面析のLognormalな分布
- 半導体デバイスシミュレ-ション技術 (インテリジェント・マテリアル・プロセッシング)
- 半導体デバイスシミュレーション技術
- 27a-ZG-1 応力下でのSiの電界変調分光スペクトル
- テストベンチを含めた磁気ディスク信号処理回路のVHDL記述とシミュレーション
- 構造設計に基づくHEMTの特性計算とモデリングの検討
- HDLによる1次DPLLの設計法の検討
- ショートチャンネルHEMTのI-V特性の計算
- 1 集積回路の不思議な「からくり」をさぐる
- 1 集積回路の不思議な「からくり」をさぐる
- B-3 In_xGa_As(x=0.53)における磁気フォノン共鳴(音波物性)
- P-4 n型InPにおける磁気フォノン共鳴(ポスター・セッション)
- CMOS発振器に関する研究
- シリコン中の不純物原子拡散
- MOS素子の微細化限界について
- SHE(Substrate Hot Electron)注入によるゲート酸化膜破壊
- C-12-19 低消費電力, 14bit, 50MSample/s パイプライン ADC の設計
- 産学共同研究に対する意識改革の必要性
- 28p-C-13 TBQにおける電子 : 光学フォノン相互作用
- 28p-C-12 量子細線における磁気フォノン共鳴
- 5p-C-6 InGaAs/InAlAs単一ヘテロ構造における磁気フォノン共鳴
- 3a-C-9 InGaAs/InAlAsヘテロ構造における電子-光学フォノン相互作用
- 分布関数を用いたキャリヤ輸送シミュレ-タ
- 半導体プロセスデバイスシミュレ-ション (計算機による材料設計)
- C-12-33 有線CDMAを用いたChip間インターフェイスにおけるビット転送エラーの考察
- 3a-A-11 n-InPにおけるマグネトフォノン共鳴II
- 高空間分解フォトルミネッセンス (マイクロキャラクタリゼ-ション-1-(技術ノ-ト))
- CDMA技術を用いたパラレルバスによる低電力伝送システム(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- C-12-34 多値CDMAバスインタフェイスのための低消費力ダイナミック電流モードコンパレータ