浜口 智尋 | 大阪大 工
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概要
関連著者
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浜口 智尋
大阪大 工
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浜口 智尋
大阪大学工学部
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浜口 智尋
阪大工
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谷口 研二
大阪大学工学部
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三浦 登
東大物性研
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今中 康貴
金材技研
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今中 康貴
東大物性研
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森 伸也
阪大院工
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浜口 智尋
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
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園田 賢一郎
大阪大学工学部電子工学科
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谷口 研二
阪大工
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山田 興治
埼玉大工
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山田 興治
埼玉大学工学部機能材料工学科
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山田 興治
埼玉大 工
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竹田 裕
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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鎌田 憲彦
埼玉大工
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二川 英樹
埼玉大工
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鎌田 憲彦
埼玉大 工
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國清 辰也
三菱電機
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Miura N
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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竹田 裕
大阪大学工学部
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森 伸也
大阪大学工学部
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山地 充
大阪大学工学部電子工学科
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國清 辰也
三菱電機ULSI開発研究所
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野尻 浩之
東北大金研
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阿部 寛
北大工
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野尻 浩之
東大物性研
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森 伸也
阪大工
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江崎 達也
広島大学大学院先端物質科学研究科
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林 豊
ソニー株式会社セミコンダクタカンパニー超lsi研究所
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柊元 宏
東工大像情報工学研
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正木 和夫
阿南高専
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山口 真史
豊田工業大学大学院工学研究科
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小錦 明
埼玉大工
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カジ D.m.コースル
大阪大学工学部電子工学科
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Quazi D.m.khosru
大阪大学工学部電子工学科
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浜口 智尋
大阪大学
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森藤 正人
阪大工
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江崎 達也
阪大工
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林 豊
ソニー超LSI
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山口 真史
NTT 光エレ研
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武田 英次
日立中研
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森藤 正人
大阪大学 工学部
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桑村 信博
日立製作所
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桑村 信博
大阪大学工学部電子工学科
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Yongwattanasoontorn P
阪大工
著作論文
- 2a-J-6 超強磁場におけるII-VI族半導体のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果IV
- 30p-M-8 n-Geの磁気フォノン共鳴3
- 28p-D-6 n-Geの磁気フォノン共鳴II
- 26a-ZG-4 量子細線における光学フォノン散乱による電子移動度の計算
- SOI MOSFETにおける2次元電子ガスのフルバンド・モンテカルロ・シミュレーション
- SOI MOSFETにおける2次元電子ガスのフルバンド・モンテカルロ・シミュレーション
- 28p-G-12 超強磁場におけるII-VI族半導体のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果III
- 14a-K-15 超強磁場におけるII-VI族半導体のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果II
- 6H-(0001)SiC反転層内における電子移動度
- 固体素子材料コンファレンス(SSDM'92)報告
- 応用物理への期待--大学vs企業 (特集:産官学のニュ-ウェ-ブ)
- 御子柴宣夫氏 1994年度IEEEUFFCS Achievement Award受賞
- インパクトイオン化の非局所性を考慮したn-MOSFETの基板電流モデル
- MOS素子の多数バレーバンド構造に基づくモンテカルロシミュレーション
- 単一電子トンネル現象を用いた電子デバイスの可能性
- 単一電子論理回路のシミュレーション
- 酸化膜中に捕獲された正孔の緩和現象
- 統合シミュレーションから見たプロセス シミュレーションの現状と課題
- 正孔捕獲断面析のLognormalな分布
- 半導体デバイスシミュレ-ション技術 (インテリジェント・マテリアル・プロセッシング)
- 半導体デバイスシミュレーション技術
- 27a-ZG-1 応力下でのSiの電界変調分光スペクトル
- 半導体プロセスデバイスシミュレ-ション (計算機による材料設計)
- 微細MOSFETのスケ-リング限界
- 企業の研究所に望む
- 国際交流