浜口 智尋 | 阪大工
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概要
関連著者
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浜口 智尋
阪大工
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中井 順吉
阪大工
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中井 順吉
大阪大学工学部
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浜口 智尋
大阪大学工学部
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山田 正良
阪大工
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山田 正良
神大工
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谷口 研二
阪大工
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森谷 明弘
阪大工
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犬石 嘉雄
阪大工
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森 伸也
阪大工
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佐々木 芳朗
阪大工
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三浦 登
東大物性研
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安東 孝止
茨城通研
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浜口 智尋
大阪大 工
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安東 孝止
阪大工
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白川 二
阪大工
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山部 紀久夫
阪大工
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森 伸也
阪大院工
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近藤 和夫
阪大工
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伊藤 寧夫
東芝総研
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石田 晶
大阪大学工学部
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石田 晶
阪大工
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広瀬 義一
阪大工
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山田 興治
埼玉大工
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山田 興治
埼玉大学工学部機能材料工学科
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山田 興治
埼玉大 工
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鎌田 憲彦
埼玉大工
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二川 英樹
埼玉大工
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中井 順吉
阪大 工
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伊藤 寧夫
阪大工
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松本 和久
阪大工
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今中 康貴
金材技研
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今中 康貴
東大物性研
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石井 康信
阪大工
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間 博顕
阪大工
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鎌田 憲彦
埼玉大 工
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下前 幸一
阪大工
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河西 和美
大阪大学 工学部
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中島 貴志
阪大工
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村田 拓史
阪大工
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久保 宇市
近大理工
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河西 和美
阪大工
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関家 秀樹
阪大工
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山谷 誠
阪大工
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浜口 智尋
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
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富田 裕
阪大工
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間 博顕
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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森 俊彦
阪大工
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新谷 眞介
阪大工
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山崎 聖高
阪大工
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上野 弘明
阪大工
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Miura N
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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安東 考止
阪大工
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竜山 智栄
阪大工
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和佐 憲治
阪大工
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和佐 憲治
阪大・工
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松島 芳一
阪大工
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寺島 郁
阪大工
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野尻 浩之
東北大金研
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木戸 義勇
東大物性研
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木戸 義勇
物材機構
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山本 恵一
神戸大工
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阿部 謙治
神戸大工
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勝井 明憲
茨城通研
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浜田 重広
阪大工
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小田 正良
阪大工
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阿部 寛
北大工
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三浦 登
物性研
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野尻 浩之
東大物性研
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江崎 達也
広島大学大学院先端物質科学研究科
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林 豊
ソニー株式会社セミコンダクタカンパニー超lsi研究所
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柊元 宏
東工大像情報工学研
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大石 嘉雄
阪大工
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安達 定雄
阪大・工
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加藤 弘
関西学院大・理
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久保 等
阪大工
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山口 真史
豊田工業大学大学院工学研究科
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小錦 明
埼玉大工
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小綿 明
埼玉大 工
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小綿 明
埼玉大工
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安達 定雄
阪大工
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間 博顕
大阪大学
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中野 裕文
阪大工
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柴富 昭洋
富士通研
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尾関 雅志
富士通研
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中野 隆生
阪大 工
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百瀬 英毅
阪大低温セ
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山田 正良
京都工繊大・工芸
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森崎 弘
阪大工
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渡辺 泰堂
関学大・理
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渡辺 泰堂
関学理
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坂田 亮
慶大工
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岩本 正幸
阪大工
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笹谷 幸裕
阪大工
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横川 正道
阪大・工
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横川 正道
阪大工
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森藤 正人
阪大工
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中沢 剛
阪大工
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松岡 俊匡
阪大工
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加藤 弘
関学理
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江崎 達也
阪大工
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清水 明
阪大工
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林 豊
ソニー超LSI
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山口 真史
NTT 光エレ研
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武田 英次
日立中研
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森藤 正人
大阪大学 工学部
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勝井 明憲
NTT研究所
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Yongwattanasoontorn P
阪大工
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今村 吉秀
阪大工
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米野 純次
富士通研
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金 武完
阪大工
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柳山 修
富士通研
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柴富 昭洋
(株)富士通研究所
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宮部 博
阪大工
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村上 孝三
阪大工
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百瀬 英毅
阪大工
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原野 彰夫
阪大工
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真壁 遼治
大工試
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太田 英二
慶大工
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伊藤 正規
阪大・工
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伊藤 正規
阪大工
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山下 達生
阪大工
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田中 実
阪大工
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持田 雅行
阪大工
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柴田 賀昭
阪大工
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小池 靖
阪大工
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王子田 克樹
慶大工
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中野 隆生
阪大工
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佐々 誠彦
富士通研
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福永 茂
阪大工
著作論文
- 1a-Pβ-30 強磁場下におけるn-GaSbのシュブニコフ・ド・ハース効果
- 5a-K-4 CdS単結晶のPL-フォノンによる共鳴ブリルアン散乱
- 4p-M-5 GHz超音波の打ち込み、モード変換と共鳴ブリルアン散乱への応用(II)
- 4p-M-4 GHz超音波の打ち込み、モード変換と共鳴ブリルアン散乱への応用(I)
- 11p-F-8 超音波の打ち込みによるZnSe, ZnTeのブリラン散乱(II)
- 2p-R-13 超音波の打ち込みによるZnSe,ZnTeのブリルアン散乱
- 3a-KL-13 CdSにおけるブリルアン散乱:間接効果
- 3a-KL-11 CdSにおける反射ドメインによるブリラン散乱
- 25p-H-5 CdSのT_1Modeフォノンによる共鳴ブリラン散乱
- 2a-J-6 超強磁場におけるII-VI族半導体のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果IV
- 3p-R-13 GaSeのElectroreflectance VII
- 11p-W-4 GaSeのElectroreflectance VI
- 11p-W-3 GaSeのElectroreflectance V
- 14a-E-15 GaSbのエネルギーバンド構造 II
- 14a-E-14 GaSbのエネルギーバンド構造 I
- 1P-D-2 半導体における共鳴ブリルアン散乱とピエゾ複屈折
- 3a-B-8 不透明領域におけるCdSの共鳴ブリルアン散乱
- 3p-B-19 ZnSの共鳴ブリルアン散乱 III
- 30p-M-8 n-Geの磁気フォノン共鳴3
- 28p-D-6 n-Geの磁気フォノン共鳴II
- 27a-M-9 n-Geのホットエレクトロン磁気フォノン共鳴
- 4a-E-7 強磁場におけるGeの磁気フォノン共鳴
- 4a-E-3 n-Siに於ける導電率のカオス的振動
- 12a-R-1 E_0端近傍での共鳴ブリラン散乱機構
- 27p-YN-15 中赤外ピコ自由電子レーザ光照射による半導体ヘテロ構造素子のバンド端発光
- 29a-ZQ-10 SOI MOSFETデバイスのモンテカルロシミュレーションIII
- 29a-L-4 SOI MOSFETデバイスのモンテカルロシミュレーション
- 29p-N-10 n-Siにおけるマグネトフォノン共鳴 III
- 1a-B-5 n-Siにおけるマグネトフォノン共鳴 II
- 1a-Pβ-34 n-Geにおける磁気フォノン共鳴(III)
- 1a-Pβ-33 n-Siにおけるマグネトフォノン共鳴(I)
- 11p-F-10 Siのエレクトロフレクタンス : 4.0〜5.0 eV
- 3p-R-12 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス(IV)
- 11p-W-5 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス (III)
- 3a-KL-1 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス(II)
- 24a-G-3 Siのエレクトロレフレクタンス (I)
- 11a-H-5 HgTeのpiezo-reflectance
- 3p-H-17 HgTeとHgSeのthermoreflectance
- 5p-KD-8 反強磁性体MnOの波長変調と吸収
- 3p-C-9 (GaAs)_n/(AlAs)_n超格子のエネルギー帯構造の解析
- 26a-ZG-4 量子細線における光学フォノン散乱による電子移動度の計算
- 半導体発振現象 : 半導体シンポジウム
- 28p-G-12 超強磁場におけるII-VI族半導体のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果III
- 14a-K-15 超強磁場におけるII-VI族半導体のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果II
- 30a-M-13 量子細線における高電界輸送特性
- 固体素子材料コンファレンス(SSDM'92)報告
- 7a-G-9 CdSの電流振動現象と超音波束の注入
- CdSの電流振動現象と高電界層 : 半導体 : ダイオード,不安定
- CdSにおける電流飽和現象III : 半導体(不安定性)
- CdSの電流飽和(II) : 半導体 : 不安定性
- CdSの電流飽和(I) : 半導体 : 不安定性
- CdSにおける電流飽和および振動現象 : 半導体 : 理論と不安定性
- 5a-B-3 Cds単結晶のQL-フォノンによるブリルアン散乱
- 5a-B-2 Cdsの共鳴ブリルアン散乱と選択則の崩壊
- 御子柴宣夫氏 1994年度IEEEUFFCS Achievement Award受賞
- 27a-ZG-1 応力下でのSiの電界変調分光スペクトル
- 6p-M-9 GaAsにおける音響電気効果の磁場依存性 II
- 5p-H-9 GaAsにおける音響電気効果の磁場依存性 I
- 7a-F-6 Semiconductive CdSにおけるAcoustoelectric Instabilities II
- 7a-F-5 Semiconductive CdSにおけるAcoustoelectric Instabilities I
- 14a-E-7 n型InPにおける磁気フォノン共鳴
- 7p-B-7 InSbのWarm Electron
- 28p-C-13 TBQにおける電子 : 光学フォノン相互作用
- 28p-C-12 量子細線における磁気フォノン共鳴
- 5p-C-6 InGaAs/InAlAs単一ヘテロ構造における磁気フォノン共鳴
- 3a-C-9 InGaAs/InAlAsヘテロ構造における電子-光学フォノン相互作用
- 10p-T-2 GaPの第2間接吸収端
- 3a-KL-4 GaSのElectroabsorption
- 24a-G-2 GaSeのElectroabsorption
- 11a-H-2 2次元的な構造をもつ結晶における光電場効果
- 3p-H-11 GaSoのElectrorereflectance(II)
- 3p-H-10 Moduiation Spectroscopyにおける電子的割算装置
- 1p-N-2 GaSeのElectro-reflectance I
- 5a-G-3 GaTe,GaSeの光吸収と光伝導
- 7a-F-18 GaTe,GaSeの伝導度の電界依存性
- 14a-E-18 微細加工n^+nn^+GaAsにおけるホットエレクトロン現象
- 3a-A-11 n-InPにおけるマグネトフォノン共鳴II
- 3a-A-10 n-InPにおけるマグネトフォノン共鳴I
- 11a-P-3 n-InSbにおけるホットエレクトロン領域の磁気フォノン共鳴
- 5p-U-13 高温におけるn-InSbの磁気フォノン共鳴
- 14a-W-1 n-InSbにおけるウォーム・エレクトロン移動度の温度依存性
- 23a-G-16 ウォーム・エレクトロンのマグネト・フォノン共鳴
- 6p-M-5 n-InSbにおけるWarm ElectronのMagnetophonon Resonance
- 12a-H-11 InSbにおけるWarm ElectronのMagnetophonon Resonance
- 5p-H-16 InSbにおけるWarm ElectronのMagnetophonon Resonance
- 12a-R-2 GaSeの共鳴ブリルアン散乱(II)
- 5a-B-1 層状半導体GaSeにおける共鳴ブリルアン散乱
- 3a-KL-10 GaSeのブリルアン散乱 I
- 音響電気効果とブリルアン散乱
- 11p-H-13 六方晶系におけるBrillouin散乱(II)
- 11p-H-12 六方晶系におけるBrillouin散乱(I)
- 30p-N-15 CdS中のフォノンの周波数および伝ぱん角度分布と線形理論
- 30p-N-14 CdSの音響ドメインによるOff-axis Brillouin散乱
- 30p-N-13 CdSの音響ドメインによるBrillouin散乱
- 30p-N-12 光学的異方性媒質におけるBrillouin散乱
- 30p-N-11 光学的等方性媒質におけるBrillouin散乱
- 3a-KL-12 CdSにおけるブリルアン散乱
- 4p-LT-6 ホットエレクトロンのマグネトフォノン共鳴
- 1p-TE-5 シリコン酸化膜からの格子間原子の放出
- 1p-N-3 半導体における磁気フォノンスペクトロスコピー
- 4a-WB-12 パルス強磁場中のn-Si,n-Geの磁気フォノン共鳴
- 9p-B-8 HgTeとHgSeの光学定数
- 5p-H-3 Photoconductive CdSの電流飽和時におけるBrillouin散乱
- 4a-H-7 マイクロ波加熱法による高抵抗n-GaAsの負性抵抗の測定
- 15a-K-8 マイクロ波加熱法によるGaAsの負性抵抗の測定
- 11a-H-6 Bi_2Te_3,Bi_2Se_3のThermo- and Electro-reflectance
- 3p-H-14 Bi_2Se_3のelectroreflectance
- 9p-B-10 CdxHgTeのElectroreflectance (II)
- 9p-B-9 HgTeとHgSeのElectroreflectance
- 24a-G-13 圧電性結晶におけるブリルアン散乱
- 24a-G-11 音響電気効果とPhonon Focusing
- 29p-N-11 微細加工半導体素子におけるホットエレクトロン現象
- 2p-A-11 MOS反転層におけるホットエレクトロンのモンテカルロシミュレーション
- 4a-L-10 マイクロ波によるホット・キャリアの測定
- 31a-H-10 InAlAs/InGaAs単一ヘテロ構造素子における磁気フォノン共鳴(31aH 半導体(輸送現象))