中井 順吉 | 阪大工
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概要
関連著者
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中井 順吉
阪大工
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浜口 智尋
阪大工
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中井 順吉
大阪大学工学部
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阪大工
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森谷 明弘
阪大工
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山田 正良
神大工
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中井 順吉
阪大 工
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佐々木 芳朗
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近藤 和夫
阪大工
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白川 二
阪大工
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谷口 研二
阪大工
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松本 和久
阪大工
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安東 孝止
茨城通研
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安東 孝止
阪大工
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石井 康信
阪大工
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中島 裕一
阪大工
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久保 宇市
近大理工
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関家 秀樹
阪大工
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山谷 誠
阪大工
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富田 裕
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横川 正道
阪大・工
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横川 正道
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竜山 智栄
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光定 一道
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山本 恵一
神戸大工
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阿部 謙治
神戸大工
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浜田 重広
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小田 正良
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犬石 嘉雄
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山田 正良
京都工繊大・工芸
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横本 英樹
阪大工
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岩本 正幸
阪大工
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笹谷 幸裕
阪大工
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日笠 和彦
阪大工
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山田 清
大阪電通大
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河股 俊典
大電通大
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今村 吉秀
阪大工
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金 武完
阪大工
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大倉 五佐雄
三菱電機北伊丹
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宮部 博
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村上 孝三
阪大工
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原野 彰夫
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大倉 五佐雄
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真壁 遼治
大工試
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山下 達生
阪大工
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田中 実
阪大工
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持田 雅行
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加納 剛太
松下電子研
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安岡 晶彦
阪大工
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菅田 栄治
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藤岡 雅宣
阪大工
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三原 繁範
阪大工
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楊 聰哲
阪大工
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中村 勝吾
阪大工
著作論文
- 3a-KL-13 CdSにおけるブリルアン散乱:間接効果
- 3a-KL-11 CdSにおける反射ドメインによるブリラン散乱
- 25p-H-5 CdSのT_1Modeフォノンによる共鳴ブリラン散乱
- 3p-R-13 GaSeのElectroreflectance VII
- 11p-W-4 GaSeのElectroreflectance VI
- 11p-W-3 GaSeのElectroreflectance V
- 4p-Q-1 GaPのエレクトロレフレクタンス : 対称性解析
- 11p-F-10 Siのエレクトロフレクタンス : 4.0〜5.0 eV
- 3p-R-12 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス(IV)
- 11p-W-5 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス (III)
- 3a-KL-1 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス(II)
- 24a-G-3 Siのエレクトロレフレクタンス (I)
- 11a-H-5 HgTeのpiezo-reflectance
- 3p-H-17 HgTeとHgSeのthermoreflectance
- 5p-U-6 PbTe及びSnTeのフォノンスペクトロスコピー
- 5p-KD-8 反強磁性体MnOの波長変調と吸収
- 1a-F-6 トンネル分光法による蓄積層内ポテンシャルのバイアスおよび磁場依存性
- 5a-NL-1 CdSnAs_2-Oxide-Pb MOSの高磁場中におけるトンネル分光スペクトル
- 28a-E-7 CdSnAs_2結晶の表面蓄積層における二次元量子化準位
- 6p-M-9 GaAsにおける音響電気効果の磁場依存性 II
- 5p-H-9 GaAsにおける音響電気効果の磁場依存性 I
- 7a-F-6 Semiconductive CdSにおけるAcoustoelectric Instabilities II
- 7a-F-5 Semiconductive CdSにおけるAcoustoelectric Instabilities I
- CdSe蒸着膜の特性とその応用 : 薄膜・応用電子物性シンポジウム
- 7p-B-7 InSbのWarm Electron
- 10p-T-2 GaPの第2間接吸収端
- 3a-KL-4 GaSのElectroabsorption
- 24a-G-2 GaSeのElectroabsorption
- 11a-H-2 2次元的な構造をもつ結晶における光電場効果
- 3p-H-11 GaSoのElectrorereflectance(II)
- 3p-H-10 Moduiation Spectroscopyにおける電子的割算装置
- 1p-N-2 GaSeのElectro-reflectance I
- Ge蒸着膜の表面電位と光電子放出 : 表面物理, 薄膜
- 5a-G-3 GaTe,GaSeの光吸収と光伝導
- 7a-F-18 GaTe,GaSeの伝導度の電界依存性
- 23a-G-16 ウォーム・エレクトロンのマグネト・フォノン共鳴
- 6p-M-5 n-InSbにおけるWarm ElectronのMagnetophonon Resonance
- 12a-H-11 InSbにおけるWarm ElectronのMagnetophonon Resonance
- 5p-H-16 InSbにおけるWarm ElectronのMagnetophonon Resonance
- 3a-KL-10 GaSeのブリルアン散乱 I
- 音響電気効果とブリルアン散乱
- 11p-H-13 六方晶系におけるBrillouin散乱(II)
- 11p-H-12 六方晶系におけるBrillouin散乱(I)
- 30p-N-15 CdS中のフォノンの周波数および伝ぱん角度分布と線形理論
- 30p-N-14 CdSの音響ドメインによるOff-axis Brillouin散乱
- 30p-N-13 CdSの音響ドメインによるBrillouin散乱
- 30p-N-12 光学的異方性媒質におけるBrillouin散乱
- 30p-N-11 光学的等方性媒質におけるBrillouin散乱
- 3a-KL-12 CdSにおけるブリルアン散乱
- 4p-K-5 層状半導体における層数の簡単な勘定法
- 5a-U-6 Bi_2Te_3のトンネル効果
- SMS-メタル・ベース・トランジスタ : 薄膜・応用電子物性シンポジウム
- 9p-B-8 HgTeとHgSeの光学定数
- 5p-H-3 Photoconductive CdSの電流飽和時におけるBrillouin散乱
- 11a-H-6 Bi_2Te_3,Bi_2Se_3のThermo- and Electro-reflectance
- 3p-H-14 Bi_2Se_3のelectroreflectance
- 9p-B-10 CdxHgTeのElectroreflectance (II)
- 9p-B-9 HgTeとHgSeのElectroreflectance
- 24a-G-13 圧電性結晶におけるブリルアン散乱
- 24a-G-11 音響電気効果とPhonon Focusing
- 4.I.5 Flicker Noiseに就いて(電子放射)
- 4.I.7 酸化物陰極の衝撃的熱電子放射(電子放射)