中井 順吉 | 阪大 工
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概要
関連著者
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中井 順吉
阪大 工
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中井 順吉
大阪大学工学部
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中井 順吉
阪大工
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森谷 明弘
阪大工
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浜口 智尋
阪大工
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近藤 和夫
阪大工
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中島 裕一
阪大工
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浜口 智尋
阪大 工
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浜口 智尋
阪大・工
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中井 順吉
阪大・工
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佐々木 芳朗
阪大工
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白川 二
阪大工
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石井 康信
阪大工
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富田 裕
阪大工
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宮崎 隆雄
阪大 工
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山田 正良
神大工
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横本 英樹
阪大工
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横川 正道
阪大・工
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横川 正道
阪大工
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日笠 和彦
阪大工
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三沢 清利
阪大・工
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森谷 明弘
阪大・工
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山田 清
大阪電通大
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河股 俊典
大電通大
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中島 裕一
阪大・工
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白川 二
阪大・工
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竜山 智栄
阪大工
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枝広 隆夫
阪大 工
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竜山 智栄
阪大 工
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富田 裕
阪大 工
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山田 正良
阪大 工
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藤岡 雅宣
阪大工
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谷口 研二
阪大 工
著作論文
- 3p-R-13 GaSeのElectroreflectance VII
- 4p-Q-1 GaPのエレクトロレフレクタンス : 対称性解析
- 11p-F-10 Siのエレクトロフレクタンス : 4.0〜5.0 eV
- 3p-R-12 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス(IV)
- 11p-W-5 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス (III)
- 5p-U-6 PbTe及びSnTeのフォノンスペクトロスコピー
- エレクトロリフレクタンス法によるMOS界面特性の測定 (スペクトロスコピ-特集号)
- 11p-F-9 Si-MOSのElectroreflectance
- 1a-F-6 トンネル分光法による蓄積層内ポテンシャルのバイアスおよび磁場依存性
- 5a-NL-1 CdSnAs_2-Oxide-Pb MOSの高磁場中におけるトンネル分光スペクトル
- 28a-E-7 CdSnAs_2結晶の表面蓄積層における二次元量子化準位
- 3a-BJ-6 n-CdSnA_2 のシュビニコフード・ハース振動
- プラズマ酸化による薄膜ダイオードの特性 : 表面物理, 薄膜
- 10p-T-2 GaPの第2間接吸収端
- 9a-B-3 GaTe,GaSeの光伝導と光吸収
- 回転検光子型自動偏光解析装置の校正および測定精度について
- 2p-R-11 GaPの共鳴ブリルアン散乱
- 四結晶型光変調器のジョ-ンズ行列に及ぼす軸ずれと多重反射効果
- GaAsの基礎吸収端近傍における光音響分光
- 反射光変調分光法による半導体表面の評価(新技術アラカルト)
- 4p-K-5 層状半導体における層数の簡単な勘定法
- 5a-U-6 Bi_2Te_3のトンネル効果
- 24a-H-14 反強磁性体MnOの波長変調と吸収