反射光変調分光法による半導体表面の評価(新技術アラカルト)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 3a-KL-13 CdSにおけるブリルアン散乱:間接効果
- 3a-KL-11 CdSにおける反射ドメインによるブリラン散乱
- 25p-H-5 CdSのT_1Modeフォノンによる共鳴ブリラン散乱
- 3p-R-13 GaSeのElectroreflectance VII
- 11p-W-4 GaSeのElectroreflectance VI
- 11p-W-3 GaSeのElectroreflectance V
- 半導体斜方向蒸着膜の高光起電圧効果の検討 : 薄膜・応用電子物性シンポジウム
- 4p-Q-1 GaPのエレクトロレフレクタンス : 対称性解析
- 11p-F-10 Siのエレクトロフレクタンス : 4.0〜5.0 eV
- 3p-R-12 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス(IV)
- 11p-W-5 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス (III)
- 3a-KL-1 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス(II)
- 24a-G-3 Siのエレクトロレフレクタンス (I)
- 5p-U-6 PbTe及びSnTeのフォノンスペクトロスコピー
- 5p-KD-8 反強磁性体MnOの波長変調と吸収
- エレクトロリフレクタンス法によるMOS界面特性の測定 (スペクトロスコピ-特集号)
- 11p-F-9 Si-MOSのElectroreflectance
- 1a-F-6 トンネル分光法による蓄積層内ポテンシャルのバイアスおよび磁場依存性
- 5a-NL-1 CdSnAs_2-Oxide-Pb MOSの高磁場中におけるトンネル分光スペクトル
- 28a-E-7 CdSnAs_2結晶の表面蓄積層における二次元量子化準位
- 3a-BJ-6 n-CdSnA_2 のシュビニコフード・ハース振動
- 6p-M-9 GaAsにおける音響電気効果の磁場依存性 II
- プラズマ酸化による薄膜ダイオードの特性 : 表面物理, 薄膜
- 金属表面酸化膜を通しての導電現象(III) : 薄膜・応用電子物性シンポジウム
- 10p-T-2 GaPの第2間接吸収端
- 3a-KL-4 GaSのElectroabsorption
- 24a-G-2 GaSeのElectroabsorption
- 9a-B-3 GaTe,GaSeの光伝導と光吸収
- 回転検光子型自動偏光解析装置の校正および測定精度について
- 17C9. 電子放射時における酸化物陰極の抵抗
- 23a-G-16 ウォーム・エレクトロンのマグネト・フォノン共鳴
- 6p-M-5 n-InSbにおけるWarm ElectronのMagnetophonon Resonance
- 2p-R-11 GaPの共鳴ブリルアン散乱
- 3a-KL-10 GaSeのブリルアン散乱 I
- 音響電気効果とブリルアン散乱
- 3a-KL-12 CdSにおけるブリルアン散乱
- 四結晶型光変調器のジョ-ンズ行列に及ぼす軸ずれと多重反射効果
- GaAsの基礎吸収端近傍における光音響分光
- 反射光変調分光法による半導体表面の評価(新技術アラカルト)
- 4p-K-5 層状半導体における層数の簡単な勘定法
- 5a-U-6 Bi_2Te_3のトンネル効果
- 高周波スパッタリング
- 薄膜トランジスタ
- 3p-KL-13 低温におけるホットエレクトロンのマグネ・フォノン共鳴
- 24a-H-14 反強磁性体MnOの波長変調と吸収
- 24a-G-13 圧電性結晶におけるブリルアン散乱
- 24a-G-11 音響電気効果とPhonon Focusing