28p-C-13 TBQにおける電子 : 光学フォノン相互作用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1991-09-12
著者
関連論文
- 1a-Pβ-30 強磁場下におけるn-GaSbのシュブニコフ・ド・ハース効果
- 5a-K-4 CdS単結晶のPL-フォノンによる共鳴ブリルアン散乱
- 4p-M-5 GHz超音波の打ち込み、モード変換と共鳴ブリルアン散乱への応用(II)
- 4p-M-4 GHz超音波の打ち込み、モード変換と共鳴ブリルアン散乱への応用(I)
- 11p-F-8 超音波の打ち込みによるZnSe, ZnTeのブリラン散乱(II)
- 2p-R-13 超音波の打ち込みによるZnSe,ZnTeのブリルアン散乱
- 3a-KL-13 CdSにおけるブリルアン散乱:間接効果
- 3a-KL-11 CdSにおける反射ドメインによるブリラン散乱
- 25p-H-5 CdSのT_1Modeフォノンによる共鳴ブリラン散乱
- 2a-J-6 超強磁場におけるII-VI族半導体のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果IV
- 3p-R-13 GaSeのElectroreflectance VII
- 11p-W-4 GaSeのElectroreflectance VI
- 11p-W-3 GaSeのElectroreflectance V
- 14a-E-15 GaSbのエネルギーバンド構造 II
- 14a-E-14 GaSbのエネルギーバンド構造 I
- 1P-D-2 半導体における共鳴ブリルアン散乱とピエゾ複屈折
- 3a-B-8 不透明領域におけるCdSの共鳴ブリルアン散乱
- 3p-B-19 ZnSの共鳴ブリルアン散乱 III
- 30p-M-8 n-Geの磁気フォノン共鳴3
- 28p-D-6 n-Geの磁気フォノン共鳴II
- 27a-M-9 n-Geのホットエレクトロン磁気フォノン共鳴
- 4a-E-7 強磁場におけるGeの磁気フォノン共鳴
- 4a-E-3 n-Siに於ける導電率のカオス的振動
- 12a-R-1 E_0端近傍での共鳴ブリラン散乱機構
- 27p-YN-15 中赤外ピコ自由電子レーザ光照射による半導体ヘテロ構造素子のバンド端発光
- 29a-ZQ-10 SOI MOSFETデバイスのモンテカルロシミュレーションIII
- 29a-L-4 SOI MOSFETデバイスのモンテカルロシミュレーション
- 29p-N-10 n-Siにおけるマグネトフォノン共鳴 III
- 1a-B-5 n-Siにおけるマグネトフォノン共鳴 II
- 1a-Pβ-34 n-Geにおける磁気フォノン共鳴(III)
- 1a-Pβ-33 n-Siにおけるマグネトフォノン共鳴(I)
- 11p-F-10 Siのエレクトロフレクタンス : 4.0〜5.0 eV
- 3p-R-12 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス(IV)
- 11p-W-5 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス (III)
- 3a-KL-1 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス(II)
- 24a-G-3 Siのエレクトロレフレクタンス (I)
- 11a-H-5 HgTeのpiezo-reflectance
- 3p-H-17 HgTeとHgSeのthermoreflectance
- 5p-KD-8 反強磁性体MnOの波長変調と吸収
- 3p-C-9 (GaAs)_n/(AlAs)_n超格子のエネルギー帯構造の解析
- 26a-ZG-4 量子細線における光学フォノン散乱による電子移動度の計算
- 半導体発振現象 : 半導体シンポジウム
- 28p-G-12 超強磁場におけるII-VI族半導体のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果III
- 14a-K-15 超強磁場におけるII-VI族半導体のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果II
- 30a-M-13 量子細線における高電界輸送特性
- 固体素子材料コンファレンス(SSDM'92)報告
- 7a-G-9 CdSの電流振動現象と超音波束の注入
- CdSの電流振動現象と高電界層 : 半導体 : ダイオード,不安定
- CdSにおける電流飽和現象III : 半導体(不安定性)
- CdSの電流飽和(II) : 半導体 : 不安定性
- CdSの電流飽和(I) : 半導体 : 不安定性
- CdSにおける電流飽和および振動現象 : 半導体 : 理論と不安定性
- 5a-B-3 Cds単結晶のQL-フォノンによるブリルアン散乱
- 5a-B-2 Cdsの共鳴ブリルアン散乱と選択則の崩壊
- SSDM国際会議報告
- 単一電子トンネル素子を用いた電子回路の可能性 (小特集:量子化機能素子)
- 御子柴宣夫氏 1994年度IEEEUFFCS Achievement Award受賞
- 27a-ZG-1 応力下でのSiの電界変調分光スペクトル
- 6p-M-9 GaAsにおける音響電気効果の磁場依存性 II
- 5p-H-9 GaAsにおける音響電気効果の磁場依存性 I
- 7a-F-6 Semiconductive CdSにおけるAcoustoelectric Instabilities II
- 7a-F-5 Semiconductive CdSにおけるAcoustoelectric Instabilities I
- 14a-E-7 n型InPにおける磁気フォノン共鳴
- 7p-B-7 InSbのWarm Electron
- 28p-C-13 TBQにおける電子 : 光学フォノン相互作用
- 28p-C-12 量子細線における磁気フォノン共鳴
- 5p-C-6 InGaAs/InAlAs単一ヘテロ構造における磁気フォノン共鳴
- 3a-C-9 InGaAs/InAlAsヘテロ構造における電子-光学フォノン相互作用
- 10p-T-2 GaPの第2間接吸収端
- 3a-KL-4 GaSのElectroabsorption
- 24a-G-2 GaSeのElectroabsorption
- 11a-H-2 2次元的な構造をもつ結晶における光電場効果
- 3p-H-11 GaSoのElectrorereflectance(II)
- 3p-H-10 Moduiation Spectroscopyにおける電子的割算装置
- 1p-N-2 GaSeのElectro-reflectance I
- 単電子エレクトロニクスによる情報処理回路
- 5a-G-3 GaTe,GaSeの光吸収と光伝導
- 7a-F-18 GaTe,GaSeの伝導度の電界依存性
- 14a-E-18 微細加工n^+nn^+GaAsにおけるホットエレクトロン現象
- 3a-A-11 n-InPにおけるマグネトフォノン共鳴II
- 3a-A-10 n-InPにおけるマグネトフォノン共鳴I
- 11a-P-3 n-InSbにおけるホットエレクトロン領域の磁気フォノン共鳴
- 5p-U-13 高温におけるn-InSbの磁気フォノン共鳴
- 14a-W-1 n-InSbにおけるウォーム・エレクトロン移動度の温度依存性
- 23a-G-16 ウォーム・エレクトロンのマグネト・フォノン共鳴
- 6p-M-5 n-InSbにおけるWarm ElectronのMagnetophonon Resonance
- 12a-H-11 InSbにおけるWarm ElectronのMagnetophonon Resonance
- 5p-H-16 InSbにおけるWarm ElectronのMagnetophonon Resonance
- 12a-R-2 GaSeの共鳴ブリルアン散乱(II)
- 5a-B-1 層状半導体GaSeにおける共鳴ブリルアン散乱
- 3a-KL-10 GaSeのブリルアン散乱 I
- 音響電気効果とブリルアン散乱
- 11p-H-13 六方晶系におけるBrillouin散乱(II)
- 1p-TE-5 シリコン酸化膜からの格子間原子の放出
- 9p-B-8 HgTeとHgSeの光学定数
- 11a-H-6 Bi_2Te_3,Bi_2Se_3のThermo- and Electro-reflectance
- 3p-H-14 Bi_2Se_3のelectroreflectance
- 9p-B-10 CdxHgTeのElectroreflectance (II)
- 9p-B-9 HgTeとHgSeのElectroreflectance
- 31a-H-10 InAlAs/InGaAs単一ヘテロ構造素子における磁気フォノン共鳴(31aH 半導体(輸送現象))