単電子エレクトロニクスによる情報処理回路
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
単電子デバイスの基本となるクーロンプロッケイド現象は近年様々な角度から詳細に研究されているが、単電子デバイスをnmスケールで集積した単電子回路についての議論はほとんどなされていない。本研究では、将来、単電子素子を集積化したときに顕在化する問題点をモンテカルロ法による単電子回路シミュレーションで洗い出し、電子回路固有の問題点を解決する方策を前もって提案するとともに単電子デバイスの開発の方向付けを行うことを目的にしている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
関連論文
- C-9-3 SoG液晶モジュール用アナログバッファ回路に関する研究(C-9. 電子ディスプレイ,一般セッション)
- Poly-Si TFTにおける容量 : 電圧特性のシミュレーションによる解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 5p-KD-8 反強磁性体MnOの波長変調と吸収
- 3p-C-9 (GaAs)_n/(AlAs)_n超格子のエネルギー帯構造の解析
- 26a-ZG-4 量子細線における光学フォノン散乱による電子移動度の計算
- SSDM国際会議報告
- 単一電子トンネル素子を用いた電子回路の可能性 (小特集:量子化機能素子)
- 27a-ZG-1 応力下でのSiの電界変調分光スペクトル
- 28p-C-13 TBQにおける電子 : 光学フォノン相互作用
- 28p-C-12 量子細線における磁気フォノン共鳴
- 5p-C-6 InGaAs/InAlAs単一ヘテロ構造における磁気フォノン共鳴
- 3a-C-9 InGaAs/InAlAsヘテロ構造における電子-光学フォノン相互作用
- 単電子エレクトロニクスによる情報処理回路
- 1p-TE-5 シリコン酸化膜からの格子間原子の放出
- 9p-B-8 HgTeとHgSeの光学定数
- 11a-H-6 Bi_2Te_3,Bi_2Se_3のThermo- and Electro-reflectance
- 3p-H-14 Bi_2Se_3のelectroreflectance
- 9p-B-10 CdxHgTeのElectroreflectance (II)
- 9p-B-9 HgTeとHgSeのElectroreflectance
- 31a-H-10 InAlAs/InGaAs単一ヘテロ構造素子における磁気フォノン共鳴(31aH 半導体(輸送現象))