竹田 裕 | Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

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概要

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関連著者

• 竹田 裕

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 河田 道人

  株式会社nec情報システムズ

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 森 伸也

  大阪大学 大学院工学研究科

• 森 伸也

  阪大院工

• 岡本 真輝

  大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 竹田 裕

  大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 浜口 智尋

  大阪大学工学部

• 浜口 智尋

  大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 浜口 智尋

  大阪大 工

• 竹田 裕

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 竹田 裕

  大阪大学工学部

• 森 伸也

  大阪大学工学部

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

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著作論文

• Gamovの方法を用いたMOSFETにおけるゲートトンネル電流の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Gamovの方法を用いたMOSFETにおけるゲートトンネル電流の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• SOI MOSFETにおける2次元電子ガスのフルバンド・モンテカルロ・シミュレーション
• SOI MOSFETにおける2次元電子ガスのフルバンド・モンテカルロ・シミュレーション

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