羽根 正巳 | 日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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概要
関連著者
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羽根 正巳
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
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池澤 健夫
株式会社NEC情報システムズ
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江崎 達也
広島大学
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
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中村 英達
NECシリコンシステム研究所
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山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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江崎 達也
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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中村 英達
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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山本 豊二
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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河田 道人
株式会社nec情報システムズ
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竹田 裕
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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羽根 正巳
日本電気(株)NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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竹田 裕
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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松木 武雄
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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池澤 健夫
NEC情報システムズ
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松木 武雄
日本電気マイクロエレクトロニクス研究所
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石田 宏一
帝京科学大学理工学部
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石田 宏一
日本電気(株)基礎研究所
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田中 克彦
MIRAI-Selete
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内田 尚志
北海道工大
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上沢 兼一
日本電気マイクロエレクトロニクス研究所
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羽根 正巳
「応用物理」編集委員会
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羽根 正巳
Nec シリコンシステム研
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田中 克彦
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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野津 明男
NEC情報システムズ科学技術システム事業部
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小谷 教彦
半導体理工学研究センター
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内田 尚志
北海道工業大学
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加藤 治男
日本電気
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熊代 成孝
日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所
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熊代 成孝
日本電気株式会社necエレクトロンデバイス
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上沢 兼一
日本電気(株)
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野津 明男
Nec情報システム
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上沢 兼一
日本電気
著作論文
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- Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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