中村 英達 | NECシリコンシステム研究所

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概要

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• 同名の論文著者
• NECシリコンシステム研究所の論文著者

関連著者

• 江崎 達也

  広島大学

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 中村 英達

  NECシリコンシステム研究所

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 池澤 健夫

  NEC情報システムズ

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 江崎 達也

  NECシリコンシステム研究所

• 岩本 敏幸

  NECシリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  NECシリコンシステム研究所

• 江崎 達也

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 中村 英達

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 山本 豊二

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  NECエレクトロニクス株式会社

• 岩本 敏幸

  NEC シリコンシステム研究所

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 岩本 俊幸

  Nec Electronics Corporation

• 五十嵐 信行

  NECシリコンシステム研究所

• 羽根 正巳

  NECシリコンシステム研究所

• 五十嵐 信行

  NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部

• 羽根 正巳

  NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部

• 山本 豊二

  NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部

• 山本 豊二

  NEC、シリコンシステム研究所

• 五十嵐 信行

  Necシリコンシステム研

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著作論文

• (110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性
• (110)面基板上に作製したサブ100nmCMOSの電気特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
• MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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