五十嵐 信行 | NEC(株)システムデバイス研究所

スポンサーリンク

概要

• 五十嵐 信行の詳細を見る
• 同名の論文著者
• NEC(株)システムデバイス研究所の論文著者

関連著者

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 渡部 宏治

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 高橋 健介

  日本電気株式会社

• 間部 謙三

  日本電気株式会社

• 池澤 健夫

  NEC情報システムズ

• 渡部 宏治

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 忍田 真希子

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 渡辺 啓仁

  日本電気株式会社

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 小倉 卓

  Necエレクトロニクス株式会社

• 江崎 達也

  広島大学

• 東郷 光洋

  NECエレクトロニクス株式会社

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 五十嵐 多恵子

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社

• 西藤 哲史

  日本電気株式会社

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 羽根 正巳

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 若林 整

  NEC

• 若林 整

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 若林 整

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研究所

• 若林 整

  ソニー(株)

• 高橋 健介

  NECシステムデバイス研究所

• 岩本 敏幸

  NEC シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  Necシステムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  NECシステムデバイス研究所

• 間部 謙三

  NECシステムデバイス研究所

• 望月 康則

  Necシステムデバイス研究所

• 渡部 平司

  NECシステムデバイス研究所

• 寺島 浩一

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 岩本 俊幸

  Nec Electronics Corporation

• 中村 英達

  NECシリコンシステム研究所

• 江崎 達也

  NECシリコンシステム研究所

• 岩本 敏幸

  NECシリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  NECシリコンシステム研究所

• 山本 豊二

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 川浦 久雄

  日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター

• 阪本 利司

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 阪本 利司

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 長谷 卓

  NECシステムデバイス研究所

• 辰巳 徹

  NECシステムデバイス研究所

• 東郷 光洋

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 森岡 あゆ香

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 忍田 真希子

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 多恵子

  NECシステムデバイス研究所

• 吉原 拓也

  NECシステムデバイス研究所

• 阪本 利司

  Nec 基礎・環境研

• 阪本 利司

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 増崎 幸治

  日本電気株式会社

• 寺島 浩一

  日本電気

• 小倉 卓

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 小野 春彦

  日本電気株式会社 シリコンシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 小野 春彦

  NECシリコンシステム研

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 森岡 あゆ香

  NECグリーンイノベーション研究所

• 渡辺 啓仁

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 辰巳 徹

  日本電気(株)

• 江崎 達也

  NEC

• 阪本 利司

  NEC

• 川浦 久雄

  NEC

• 五十嵐 信行

  NEC

• 竹内 潔

  NEC

• 山本 豊二

  NEC

• 江崎 達也

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 阪本 利司

  NEC(株)基礎・環境研究所

• 川浦 久雄

  NEC(株)基礎・環境研究所

• 山上 滋春

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 竹内 潔

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  NECシリコンシステム研究所

• 羽根 正巳

  NECシリコンシステム研究所

• 五十嵐 信行

  NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部

• 羽根 正巳

  NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部

• 山本 豊二

  NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部

• 辰巳 徹

  NEC シリコンシステム研究所

• 砂村 潤

  日本電気(株)基礎研究所

• 山本 豊二

  NEC、シリコンシステム研究所

• 寺井 真之

  早稲田大学

• 寺井 真之

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 藤枝 信次

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 小倉 卓

  NEC シリコンシステム研究所

• 寺井 真之

  NEC シリコンシステム研究所

• 渡辺 啓仁

  NEC シリコンシステム研究所

• 渡部 平司

  NEC シリコンシステム研究所

• 五十嵐 信行

  NEC シリコンシステム研究所

• 宮村 真

  NEC シリコンシステム研究所

• 西藤 哲史

  NEC シリコンシステム研究所

• 森岡 あゆ香

  NEC シリコンシステム研究所

• 渡部 宏治

  NEC シリコンシステム研究所

• 斎藤 幸重

  NEC シリコンシステム研究所

• 矢部 裕子

  NEC シリコンシステム研究所

• 五十嵐 多恵子

  NEC シリコンシステム研究所

• 増崎 幸治

  NEC シリコンシステム研究所

• 望月 康則

  NEC シリコンシステム研究所

• 藤枝 信次

  「応用物理」編集委員会

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研

• 藤枝 信次

  Ecシリコノシステム研究所

• 藤枝 信次

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 藤枝 信次

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 池澤 延幸

  Necエレクトロニクス(株)

• 小辻 節

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  Necシリコンシステム研

• 羽根 正巳

  Nec シリコンシステム研

• 砂村 潤

  Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構

• 砂村 潤

  日本電気株式会社

• 川本 英明

  Necエレクトロニクス(株)

• 辰巳 徹

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 忍田 真希子

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 小倉 卓

  日本電気

• 辰巳 徹

  Nec シリコンシステム研

• 五十嵐 信行

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 渡部 宏治

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 増崎 幸治

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 中川 隆史

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• Terai Masayuki

  Department Of Applied Physics Waseda University

• 五十嵐 信行

  日本電気

• 渡部 宏治

  日本電気

• 忍田 真希子

  日本電気

• 砂村 潤

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

もっと見る 閉じる

著作論文

• Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
• Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• (110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性
• (110)面基板上に作製したサブ100nmCMOSの電気特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI)
• 相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価
• 組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• TEMエネルギー損失分光を用いたhigh-k絶縁膜の誘電的性質の評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
• SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
• Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• HfO_2/SiO_2界面の熱安定性のHAADF-STEM評価 : Hf分布の定量的測定と拡散係数の決定
• ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
• ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク