TEMエネルギー損失分光を用いたhigh-k絶縁膜の誘電的性質の評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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透過電子顕微鏡を用いた電子エネルギー損失分光法(TEM-EELS)によって、ナノスケールの空間分解能で、誘電体のバンドギャップなどに関する知見を得ることが出来る。この手法を応用して、MOS-FETのゲート絶縁膜として開発が進められているHfシリケート薄膜のバンドギャップを解析した結果について述べる。この結果に基づき、Hfシリケート薄膜の化学的組成と電子構造や誘電的性質の関係について議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-02
著者
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五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
-
高橋 健介
NECシステムデバイス研究所
-
高橋 健介
日本電気株式会社
-
五十嵐 信行
NECシステムデバイス研究所
-
間部 謙三
NECシステムデバイス研究所
-
間部 謙三
日本電気株式会社
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